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镀铜流程--- Cu plating---Deburring, Desmear, 化学铜, 电镀铜介绍Cu plating ProcessDrillCu platingODFLaser DrillCu platingDeburringDesmearPTHAcid RinseCu plating ProcessDeburringS/ELoaderLoaderSwellerA/CAcid rinseKMno4BrushHot rinsePre-Dip中和超声波水洗RinseRinse活化DryDryPre-dip中压 水洗还原测厚度DryPlating化学铜转移水洗DesmearCleanerPTHDryCu platingAcid RinseDeburring 高压水洗LoaderBrush超声波 水洗中压水洗Dry原理 -.利用机械毛刷对板面进行清洁 目的 -.去除钻孔后孔边的毛刺和板面的异物， 增加板面粗糙度 目标 -.孔边无毛刺，板面无异物，防止 造成堵孔不良 Desmear中和水洗DrySweller水洗KMno4水洗原理 -.药品：M-Treat Bio H 浓度控制 : 100%(88%～100%) 温度：55±5℃ 目的 -.有机溶剂浸透胶渣使其组 织疏松膨胀，从而在后序流程中更易去除 目标 -.使胶渣组织疏松膨胀 DesmearSweller中和水洗DryKMno4水洗水洗原理 -.药品： M-Permanganate（9247），9276 浓度控制 : 9247 ：75±5g/L 9276：5.5%±5% 温度：85±3℃ 副产物：K2MnO4: ＜25g/L -.反应式： (COH)n + MnO4- + OH- → MnO42- + H2O + O2↑+ CO32-? 2MnO42- +2 H2O→ 2MnO2↓ + 4OH- + O2↑ -.再生反应： 阳极： MnO42- → MnO4- 阴极：H2O → H2 ，MnO4 2- → MnO2 目的 -.咬蚀蓬松的树脂,去除钻孔高温产生的胶渣，孔内形成一定粗糙度 目标 -.Epoxy Etch Rate: 0.95±0.3um/CycleDesmear中和SwellerKMnO4水洗Dry水洗水洗原理 -.药品：P500，H2SO4 ,主要成分2(H2NOH).SO4 ,有机还原剂，反应温和，气泡少，不咬蚀铜 浓度：P500 (100±20ml/L) H2SO4(75±5g/L)温度：45±5℃ -.反应式：MnO2 + 2(H3N-OH).SO4 → Mn2+ +SO42- + 4H2O + N2↑ 目的-.利用中和反应去除产品表面和孔内残留的氧化剂?-.调整孔内玻纤电荷，使其均匀的，有机的，不带电荷 目标-.产品表面和孔内清洁干净Plating Through HoleCleanerS/EPre-Dip活化还原化学铜原理-.药品：Sky clean 321C , NaOH 浓度：321C（45±5?/?） NaOH (15±5g/l)温度：50±5℃ 目的-.去除板面和孔内油污，增加表面和孔内的润湿性-.调整孔内玻纤电荷，使其均匀的，有机的，不带电荷 目标 -.确保孔内和表面最佳洁净状态，以便保证后续良好的化学结合力Plating Through HoleS/ECleanerPre-Dip活化还原化学铜原理 -.药品：Oxone(主要成分Na2S2O8) H2SO4 浓度：85±15g/? H2SO4:3±1% Cu2+：≤20g/l 温度：35±5℃ -.反应式：S2O82- +2 H+ +Cu→Cu2++ 2HSO4- 目的 -.清洁表面和孔内，并使其有一定粗糙度 目标-. Cu Etch Rate : 0.7~2.0um/cyclePlating Through HolePre-Dip活化CleanerS/E还原化学铜原理 - 药品：预浸剂 Sky Cat 330C，活化剂Sky Cat 333C, NaOH 浓度：330C浓度不管理，活化剂 Pd2+ 300±40 mg/l pH 10±0.5 C温度 :45±5℃ 目的 -.Pre-dip 主要是保护活化槽液体，防止药品带入或者污染。同时可以去除前面水洗产生的氧化和对板子有润湿效果。 -.活化剂Pd2+吸附到孔内和表面.对Pd2+ 吸附能力： 树脂＞玻纤＞铜 目标-.孔内Pd2+密附，为化学铜反应提供催化剂 Plating Through Hole还原CleanerS/EPre-D