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薄膜技术_磁控溅射
3,CD-过渡区 然后发生“雪崩点火”。离子轰击阴极,释放出二次电子,二次电子与中性气体分子碰撞.产生更多的离子,这些离子再轰击阴极,又产生出新的更多的二次电子。一旦产生了足够多的离子和电子后,放电达到自持,气体开始起辉,两极间电流剧增,电压迅速下降,放电呈现负阻持性。这个CD区域叫做过渡区。 在D点以后,电流与电压无关,即增大电源功率时,电压维持不变,而电流平稳增加,此时两极板间出现辉光。在这一区域内若增加电源电压或改变电阻来增大电流,两极板间的电压几乎维持不变。从D到E之间区域叫做“正常辉光放电区”。在正常辉光放电时,放电自动调整阴极轰击面积。最初,轰击是不均匀的,轰击集中在靠近阴极边缘处,或在表面其它不规则处。随着电源功率的增大,轰击区逐渐扩大,直到阴极面上电流密度几乎均匀为止。 E点以后,当离子轰击覆盖整个阴极表面后,继续增加电源功率,会使放电区内的电压和电流密度,即两极间的电流随着电压的增大而增大,EF这一区域称“异常辉光放电区”。 在F点以后,整个特性都改变了,两极间电压降至很小的数值,电流大小几乎是由外电阻的大小来决定,而且电流越大,极间电压越小,FG区域称为“弧光放电区”。 下面对各个放电区的性质作进一步说明。 (1)无光放电 由于在放电容器中充有少量气体,因而始终有一部分气体分子以游离状态存在着。当两电极上加直流电压时,这些少量的正离子和电子将在电场下运动,形成电流。由于气体分子在这种情况下的自然游离数是恒定的,所以,当正离子和电子一旦产生,便被电极拉过去。即使再升高电压,到达电极的电子与离子数目不变。所以此时的电流密度很小,一般情况下仅有10-16-10-11安培左右。由于此区是导电而不发光,所以称为无光放电区。 (2)汤森放电区 在两极电压逐渐升高,电子的运动速度逐渐加快,电子与中性气体分子之间的碰撞不再是低速时的弹性碰撞,而是使气体分子电离。电离为正离子与电子,新产生的电子和原有电子继续被电场加速,使更多的气体分子被电离,于是在伏安曲线上便出现汤森放电区。 上述两种情况的放电,都以有自然电离源为前提,如果没有游离的电子和正离子存在,则放电不会发生。因此,这种放电方式又称为非自持放电。 (3)辉光放电 当放电容器两端电压进一步增加时,汤森放电的电流将随着增大。当电流增至C点时,极板两端电压突然降低,而这时电流突然增大,并同时出现带有颜色的辉光,此过程称为气体的击穿,图中电压VB称为击穿电压。击穿后气体的发光放电称为辉光放电。这时电子和正离子是来源于电子的碰撞和正离子的轰击,即使自然游离源不存在,导电也将继续下去。而且维持辉光放电的电压较低,且不变,此时电流的增大显然与电压无关,而只与阴极板上产生辉光的表面积有关。正常辉光放电的电流密度与阴极材料和气体的种类有关。 此外,气体的压强与阴极的形状对电流密度的大小也有影响。电流密度随气体压强增加而增大。凹面形阴极的正常辉光放电电流密度,要比平板形阴极大数十倍左右。 由于正常辉光放电时的电流密度仍比较小,所以在溅射等方面均是选择在非正常辉光放电区工作。 (4)非正常辉光放电区 在轰击覆盖住整个阴极表面之后,进一步增加功率,放电的电压和电流密度将同时增大,进入非正常辉光放电状态。 其特点是:电流增大时,两放电极板间电压升高,且阴极电压降的大小与电流密度和气体压强有关。因为此时辉光已布满整个阴极,再增加电流时,离子层已无法向四周扩散。这样,正离子层便向阴极靠拢,使正离子层与阴极间距离缩短,此时若要想提高电流密度,则必须增大阴极压降使正离子有更大的能量去轰击阴极,使阴极产生更多的二次电子才行。 在气体成分和电极材料一定条件下,由巴邢定律可知,起辉电压V只与气体压强P和电极距离d的乘积有关(见图3-2所示)。 从图可以看出,电压有一最小值。 若气体压强太低或极间距离太小,二次电子在到达阳极前不能使足够的气体分子被碰撞电离,形成一定数量的离子和二次电子,会使辉光放电熄灭。气压太高或极间距离太大,二次电子因多次碰撞而得不到加速,也不能产生辉光。 在大多数辉光放电溅射过程中要求气体压强低,压强与间距乘积一般都在最小值的右边,故需要相当高的起辉电压。在极间距小的电极结构中,经常需要瞬时地增加气体压强以启动放电。 图3-2 巴邢曲线(起辉电压V与气体 压强P和电极间距离d之积的实验曲线) (5) 弧光放电区 异常辉光放电时,在某些因素影响下,常有转变为弧光放电的危险。此时,极间电压陡降,电流突然增大,相当于极间短路。且放电集中在阴极的局部地区,
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