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常规试验方法 制造厂的铭牌上有一个内端子盒，装有R1～R6，k1～k6，Xr、AL等12个端子和一块端子板；全部外露能拆的端子有δ、a、x、af、xf；中压互感器高压线圈两端均无法断开。测量若采用QS1电桥反接线方式，即“δ”点接地，则测量原理参看力2.29。 图2.29 反接线测量接线原理图 r、等效于空载损耗的电阻； C、一次对二次及地的分布电容； g、等效于一次对二次及地介质损的电导 图2.29可以把中压互感器一次激磁电感与损耗以及一次对铁芯、外壳、二次线圈的等值电容和介质损全部测入。近似估算这一测量误差可用图2.30来表示。流过测量电桥的电流为1=2+3，由于3反映的是线圈电感、激磁损耗，以及中压互感器一次对二次及其他的tgδ,所以3的方向较2超前于电压的角度要小，如果电感作用较大，将出现偏大的tgδ测量误差。如果没有3的影响，测量的则是C1和C2串联的介质损。设C1、C2和Cn的介质损分别为tgδ1、 tgδ2和tgδB，且C2=4C1，则此时测得的介质损 tgδ≈,tgδ1+· tgδ2+··tgδB (2.50) 式中n=CB/C2；取CB=500皮法；C2=35000皮法，则n=1/70。所以由于tgδB的影响使测得的, tgδ增大值 tgδ= tgδB=,tgδB 一般中压互感器由于激磁电感的影响，tgδ可达百分之几十，所以△ tgδ一般为百分之零几（实测约为0.1～0.3%左右），仍在电桥允许测量误差范围之内。但当中压互感器一次线圈发生短路时，实测的 tgδ值可达百分之几。现场测量结果如表2.27所示。 图2.30 简化后的等值线路图 CB：一次对二次及其他的等值电容； RB：一次对二次及其他等值介质损的电阻 表2.27 电容式电压互感器 tgδ的测量结果 型号 铭牌电容量（C1与C2串联值） 单独测C1与C2串联值 按图2.32测量（互感器无故障） 按图2.32测量（中压互感器一次线圈短路） C（PF） tgδ（%） C（PF） tgδ（%） C（PF） tgδ（%） YDR-220下节 6910 6887 0.2 7170 0.4 7650 1.9 实际YDR型电压互感器可按下列两种接线测量。 （1）正接线：测量原理图见图2.31。此时Xr点悬空，CB为中压互感器一次线圈对铁芯、外壳和二次线圈的等值电容，LB表示因一次线圈一端施加电压有部分线圈参与等值电路、与CB相串联的电感。此时流经电桥测量臂的电流为2。由向量图可知，出现了偏小的测量结果，在很多情况下甚至出现负介质损的测量值。现场用倒相法进行干扰下tgδ测量时，由于3的分流作用，往往现出两个负值。这样的测量结果是无法进行计算和绝缘分析的。现场测量结果如表2.28所示。 图2.31 正接线测量原理图 接线图；(b)等值线路图；（c）向量图 （2）反接法：测量原理图如图2.32所示。 此时Xr点仍悬空；LB及tgδB均远小于图2.31 的情况，由式（2.50），可知，其测量误差 tgδ=tgδB 因为 tgδB较小，所以△tgδ可以忽略。即 使中压互感器一次线圈短路，由于Xr点不接地， 引入的增大测量误差将小于图2.31中的情况。此 此可认为C2与CB并联后再与C1串联。由于C2》 图2.32 反接线测量原理图 CB所以可以略去CB的影响，测得的介质损 tgδ= （2.51） 表2.28 正接线测量结果 型号 制造号和出厂年月 tgδ实测值（%） tgδ计算值（%） 试验条件 电源正相 电源反相 电源正相 电源反相 温度 相对湿度 YDR-220下节 No.17， 1979，8 -42.3% -44% -0.52% -0.55% 22℃ 88% YDR-220下节 No,7621, 1976.10 -7.0% -17% -0.09% -0.9% 24℃ 50% YDR-110 No,130, 1976,12 0.1% 0.1% 0.1% 0.1% 18℃ 45% 式中tgδ1和tgδ2分别为主电容C1和分压电容C2的介质损。由式（2.51）可知，此时较灵敏地反映了C1的绝缘状况，而对于运行中易于损坏的C2，则反映不够灵敏，此外还可得知，当tgδ1≈时，必须满足tgδ2≥5%，才能使C1与C2串联的总介质损tgδ≥1%（规程中合格标准的上限值），即才可能超过规程允许的标准。由于可见，此时检出缺陷的灵敏度低到何等程度。 测量中压互感器tgδ的方法是：将C2末端δ与C1首