砷化镓欧姆接触中的能带＂1－程主查冒甫巨郭伟玲孙英华-维普.PDF

维普资讯 第 28卷第 1期 微 电 子 学 Vo1．25．№ ．1 ． 1998~ 2月 越 ro ec￡ro s Feb．1995 a n I几U 一 L l l I l 砷化镓欧姆接触中的能带1-程 于 关 中 主查冒：甫巨郭伟玲孙英华陈建新沈光地 (北京工业大学电子工程系可靠性物理研究室，北京，100022) 摘 要 介绍 欧姆接触 中运用旺带工程的原理 ，评述 近年来 G A。欧姆接触 中 晚蒂工程应 用的研 究状况。具体分圻 了用薄的窄晚隙材料做帽层 l_辜低 势垒 高度和基 ZHANG W_AN—Rong，LIZhi—Guo，MU Fu—Chen，GUO Wei-Ling，SUN Ying—Hua， CHENJian-Xin，SHEN Guang—Di Rd／,~-l／tyPhys~sLabora~c-y 壮-Edec~,-o-b 醇qe ，B gPolytcclmlcU栅 岫 B· #n暑·100022 Abstract Thedesignconceptofenergybandengineeringisintrnduce~{ntoGaAsohmicCon— tact·Specifically，thereductionof~vrierheishtbyusingthinandnarl~w eneryg gapmateriala3 caplagerisdescrihedta8wellastheapplicationofohmiccorltaL~t$hasedOilInmetallization 自ys— tem ·Also，theteceIggprogTe~sineneryg handeng：meefingfozGaAsohn~cc∞tacti3reviewed． Keywords Semiconductorphysics，GaAs，Ohmiccontact，Energyhandengineer／ng EEACC 0550 影 响越大 。但是，寄生 电阻主要来 自欧姆接 引 言 触 此外，当器件的尺寸减小到亚徽米时。通 过金屑接触窗 口的电流密度很大，器件承受 近年来，随着 I—V族化台物半导体器件 的温度也高，因此，在亚微米尺寸、高电流密 的迅速发展和器件尺寸的不断缩小，要求相 度、高温，强场的条件下，如何保证欧姆接触 应的比接触 电阻 pc也要降低。当MESFET 的可嚣性也是一十关键的问题。在GaAs欧 的栅长 为1 m 时，要 求 i0 ～10 姆接触中，常用的AuGeNi／Au金属化系统， n·cm 但栅长为亚徽米时，则要求 p~=10 在高温下常发生横向和纵向扩散 ，形成尖峰， n·cm。或更低 。众所周知，寄生 电阻、电容可