26独石电容器瓷-课件（PPT-精）.ppt

§6-1 独石电容器的特点 §6-2 独石瓷的主要系列 §6-3 电极材料 §6-1 独石电容器的特点 1．MLCC的结构 2．MLCC的特点 3. MLCC的分类 §6-1 独石电容器的特点 独石电容器是印有内电极的陶瓷膜以一定方式重叠形成的生胚经共同烧结后形成一个整体的“独石结构”，也称为多层陶瓷电容器（Multilayer Ceramic Capacitors）简称MLCC。 §6-1 独石电容器的特点 §6-1 独石电容器的特点 §6-1 独石电容器的特点 §6-1 独石电容器的特点 §6-1 独石电容器的特点 a. 温度补偿型（I类）：以TiO2、CaTiO3、SrTiO3、MgTiO3为基。 b.? 高介电系数型（II类）：以BaTiO3为主成分。 烧成温度1300℃，电极用Pd、Pt才行。要求电极在烧结过程中不发生氧化、熔融、挥发、流失扩散现象。 为了降低成本，必须尽可能地降低烧成温度，以便采用920℃以下烧成的银电极。 我国MLCC的生产以中低温烧结为主，分为： ①Pb系MLCC ②BaTiO3系MLCC：加助烧剂 低烧MLCC中采用的内电极为Ag（ 950℃）或Pd-Ag（950～1000℃）电极。 §6-2 独石瓷的主要系列 §5-2-1 复合钙钛矿系 §5-2-2 含铋层状结构化合物系 §5-2-3 BaTiO3基瓷料 §5-2-4 PLZT系瓷料 §5-2-5 抗还原瓷料 §6-2 独石瓷的主要系列 1. 铌镁酸铅(PMN)系（低频MLCC） 2. 铌铁酸铅(PFN)系（低频MLCC） 3. 钨镁酸铅系（PMW）（高频MLCC） 4. 铌锌酸铅系（PZN） §6-2 独石瓷的主要系列 1．铌镁酸铅(PMN)系（低频MLCC） PMN晶相的性能:（复合钙钛矿）： Tc= －12℃ ε（－12℃）=15000 tgδ＜0.01 烧成温度：1050℃ 特点：介电系数高，烧结温度较低。 采用PbTiO3作为移动剂。 PbTiO3的性能（钙钛矿） ： Tc= 490℃ ε（常温）=150 烧成温度：1130℃ 特点： 引入PbTiO3后，烧成温度提高到1230℃左右，但Tc向工作温区移动。（10～15mol％） 采用PbCd1/2W1/2O3 作为助熔剂 ： 反铁电体Tc=400℃ ε（常温）=90 tgδ＜0.015 αε= +5000x10－6/℃ 烧成温度750℃，860℃熔融 特点：瓷料烧结温度在920℃左右，可配合Ag电极的使用，可微调Tc。 （生成液相，材料中的缺陷增多，活性增大） §6-2 独石瓷的主要系列 为进一步改善瓷料的介电性能，在上述配方基础上外加PbO-Bi2O3-SiO2低温玻璃。 特点：提高介质中液相对晶粒表面的润滑作用，形成表面张力，防止晶粒长大。（0.7～1.0 ％） 过多玻璃相会导致介电系数极大地下降，损耗增加。 §6-2 独石瓷的主要系列 工艺问题：在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3的合成过程中，由于PbO的挥发，在500℃以上易生成低介电常数的焦绿石相（3PbO·2Nb2O5，简称P3N2） 解决方法：a. 添加PbO过量（PbO液相加速晶 粒生长，但不能太过量）。 b. 两步合成法 (1) MgO+ Nb2O5→MgNb2O6 (2) PbO+MgNb2O6→Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 §6-2 独石瓷的主要系列 2. 铌铁酸铅(PFN)系 (低频MLCC) 由于Pb(Fe1/2Nb1/2)O3铁电体的Tc在112℃，室温下ε在2000左右，故必须加入合适的移动剂，将居里点移到室温下，以获得极高的介电常数。 §6-2 独石瓷的主要系列 常用的移动剂（其中为何有Pb？）： Pb(Fe2/3W1/3)O3 PFW Tc=-95℃ Pb(Ni1/3Nb2/3)O