第1章半导体器件01.ppt

　　根据 ? 和 ? 的定义，以及三极管中三个电流的关系，可得 故 ? 与 ? 两个参数之间满足以下关系： 　　直流参数 与交流参数 ?、 ? 的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，? 与 ， ? 与 的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。 * 输出 回路 输入 回路 + UCE - 1.3.3　三极管的特性曲线 　　特性曲线是选用三极管的主要依据，可从半导体器件手册查得。 IB UCE 图 　三极管共射特性曲线测试电路 IC VCC Rb VBB c e b Rc V ? + V ? + ?A ? + + ? mA 输入特性： 输出特性： + UCE - + UCE - IB IB IB UBE * 一、输入特性 (1) UCE = 0 时的输入特性曲线 Rb VBB c e b IB + UBE _ VBB IB + UBE _ b c e O IB/?A 当 UCE = 0 时，基极和发射极之间相当于两个 PN 结并联。所以，当 b、e 之间加正向电压时，应为两个二极管并联后的正向伏安特性。 * 　　(2) UCE 0 时的输入特性曲线 　　当 UCE 0 时，这个电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。 UCE UBE，三极管处于放大状态。 * 特性右移(因集电结开始吸引电子) O IB/?A UCE ≥ 1 时的输入特性具有实用意义。 IB UCE IC VCC Rb VBB c e b RC V ? + V ? + ?A ? + + ? mA UBE 　　* UCE ≥ 1 V，特性曲线重合。 图 1.3.6　三极管共射特性曲线测试电路 图 1.3.8　三极管的输入特性 * 二、输出特性 图 　NPN 三极管的输出特性曲线 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 5 10 15 4 3 2 1 　　划分三个区：截止区、放大区和饱和区。 截止区 放 大 区 饱和区 放 大 区 　　1. 截止区　IB ≤ 0 的区域。 　　两个结都处于反向偏置。 　　IB= 0 时，IC = ICEO。 硅管约等于 1 ?A，锗管约为几十 ~ 几百微安。 截止区 截止区 * 2. 放大区： 条件：发射结正偏 　　　集电结反偏 　　特点：各条输出特性曲线比较平坦，近似为水平线，且等间隔。 二、输出特性 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 5 10 15 4 3 2 1 放 大 区 　　集电极电流和基极电流体现放大作用，即 放 大 区 放 大 区 对 NPN 管 UBE 0，UBC 0 图 　NPN 三极管的输出特性曲线 * 3. 饱和区： 条件：两个结均正偏 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 5 10 15 4 3 2 1 　　对 NPN 型管，UBE 0 UBC 0 。 特点：IC 基本上不随 IB 而变化，在饱和区三极管失去放大作用。 I C ? ? IB。 当 UCE = UBE，即 UCB = 0 时，称临界饱和，UCE UBE时称为过饱和。 饱和管压降 UCES 0.4 V(硅管)，UCES 0. 2 V(锗管) 饱和区 饱和区 饱和区 * 1.3.4　三极管的主要参数 三极管的连接方式 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc (b)共基极接法 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + (a)共发射极接法 图 　NPN 三极管的电流放大关系 一、电流放大系数 是表征管子放大作用的参数。有以下几个： * 1. 共射电流放大系数 ? 2. 共射直流电流放大系数 忽略穿透电流 ICEO 时， 3. 共基电流放大系数 ? 4. 共基直流电流放大系数 忽略反向饱和电流 ICBO 时， ? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为： * 二、反向饱和电流 1. 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 2.集电极和发射极之间的反向饱和电流 ICEO (a)ICBO测量电路 (b)ICEO测量电路 ICBO c e b ?A ICEO ?A c e b 小功率锗管 ICBO 约为几微安；硅管的