【精选】微电子工艺学课件_10.pdf

微电子工艺学 第一章 绪论 第二章 现代CMOS 工艺技术 第三章 晶体生长与衬底制备 第四章 加工环境与基片清洗 第五章 光刻 第六章 热氧化 第七章 扩散掺杂 第八章 离子注入掺杂 第九章 薄膜淀积 第十章 刻蚀 第十一章 后段工艺与集成 11 第十章刻蚀 在微电子制造工艺中，光刻图形必须最终转移到光 • Etching of thin films and 刻胶下面组成器件的各薄膜层上，这种图形的转移 sometimes the silicon 是采用刻蚀工艺完成的。 substrate are very common Light Mask process steps. 图形转移＝光刻＋刻蚀 • Usually selectivity, and directionality are the first Photoresist Deposited Film order issues. Substrate • Selectivity comes from Film deposition Photoresist application Exposure chemistry; directionality Etch mask usually comes from physical processes. Modern etching techniques try to optimize both. Development Etching Resist removal