第15章 半导体二极管和三极管p58.ppt

15.1.2 N型半导体和 P 型半导体 15.1.2 N型半导体和 P 型半导体 15.2 PN结 15.2.1 PN结的形成 15.2 PN结 15.2.1 PN结的形成 15.2 PN结 15.2.2 PN结的单向导电性 15.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 15.3 半导体二极管 15.3.1 基本结构 15.3.2 伏安特性 15.3.2 伏安特性 15.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 15.4 稳压二极管 15.4 稳压二极管 3. 主要参数 3. 主要参数 15.4 稳压二极管 15.5 半导体三极管 晶体三极管中有两种不同极性电荷的载流子参与导电，故称为双极型晶体管Bipolar Junction Transistor,BJT) 双极型晶体管，是最重要的一种半导体器件，它的放大作用和开关作用促使电子技术飞跃发展，是模电和数电的基础元器件。 15.5 半导体三极管 15.5.1 基本结构 15. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用(Fig.14.5.4) 电流方向和发射结与集电极的极性 例题： 15.5.3 特性曲线 1. 输入特性曲线 2.输出特性曲线 15.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 例题：在图中所示的稳压管的稳压电路中，稳压管的稳定电压Uz=6v，最小稳定电流Izmin=5mA,最大稳定电流Izmax=25mA;负载电阻RL=600欧姆，求解限流电阻R的取值范围。 解：IR=Idz+IL。 Idz = (5~25)mA IL=Uz/RL=(6/600)A=10 mA 所以IR =15~35mA。 R上电压UR= Ui-Uz=10-6=4v Rmax= UR/IRmin=4/0.015=267欧Rmin= UR/IRmax=4/0.0e5=114欧 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 2. 三极管放大的内部条件 基区要足够薄。 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 集电结反偏，阻挡集电区的电子向基区扩散，把从基区扩散来的电子拉入集电区，形成ICE 。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数(直流） 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICE0 图中是起放大作用时的NPN管和PNP管 NPN型 PNP型 要使晶体管呈放大作用，发射结加正向电压，集电结加反向电压， 对于NPN型，