第3章三极管基本放大电路3.5.ppt

* * 先根据Av计算式求出三极管放大倍数β1, β2,β3. 空载 即RL无穷大 注意：分清主次，合理忽略。 研究的是低频小信号情况。 rceRL 或rceRC条件下可以不考虑rce,否则不能忽略rce(即hoe) * 基区薄多子浓度低，所以rbb’不可忽略。发射区多子浓度高表现出体电阻小，所以发射区体电阻可忽略。 发射结电阻是一个动态量，从其计算式可以看出静态工作点（IEQ）对动态特性的影响。在几百欧到几十K欧的范围。 * 因为微变参数是Q点的微变参数，计算出的结果反映了Q点附近的工作情况 * 等效电路中采用复数符号标出各电压和电流。 * 放大电路不是独立的，从电子系统来看它和其它电路联系在一起的。它的输入端要连接信号源，输出端常与下级电路连在一起或直接接上负载。为讨论它们之间的相互联系与影响，提出了放大器的输入电阻和输出电阻的概念.输入电阻Ri输出电阻Ro是放大电路动态性能的重要指标。 当输入信号电压（信号源及其内阻）加到放大器输入端时，放大器就相当于信号源的一个负载电阻。这个负载电阻就是放大器本身的输入电阻。 R i越大，Vi越接近Vs，所以在实际电路中，Ri越大越好！ * * 信号源短路Vs=0，保留内阻Rs；并在负载开路RL=∞的条件下，在放大器的输出端加入电压V，在V的作用下，输出端将产生电流 I，则输出电阻为: * 因为，电流电压假定正向主要是针对直流而言，而对于动态分析电流和电压只有交流分量；而交流的方向是变化的，所以不必刻意规定。 * 1。rbe减小? IEQ增大? IBQ增大? RB减小，故减小RB是一种方法 2。RL是负载，由用户提出，故不要轻易改变。 3。RC增大易产生饱和失真，故第二种方法是适当增大RC 4。增大beta，即换管子。但beta增大会导致rbe增大，效果不明显，且beta越大基区越薄，rbb’也会增大 电子学中的式子必须反映物理问题，不能只解式子！ * Vbb太小，不能直接指定VBEQ=0.7而必须求（0.65，0.7.0.75的差别很大），故用图解法。 根据戴维南定律画等效电路 本例为直接耦合，相比较前面例题的阻容耦合放大倍数的分母可知，阻容耦合放大倍数更大。 * 温度上升时，BJT的反向电流ICBO、ICEO及电流放大系数?或?都会增大，而发射结正向压降VBE会减小。这些参数随温度的变化，都会使放大电路中的集电极静态电流ICQ随温度升高而增加（ICQ= ? IBQ+ ICEO） ，从而使Q点随温度变化。 * * 所谓Q点稳定，是指ICQ和UCEQ在温度变化时基本不变，这是靠IBQ的变化得来的。 T上升，本征激发产生大量电子空穴对，ICBO增加,ICEO=(1+β)ICBO增加更快； T上升，输出特性曲线稀疏，β增大； T上升，VBE死区电压减小 加一恒压源在基极，信号加不进来！ * 一般取 I1 =(5~10)IBQ ， VBQ =3~5V * 列基极电流方程时，基极电流是IB，发射极电流是IE；为了保证基极电流流过Re，产生的电压降与IE流过时一样，所以要将Re乘以(1+β)。 * * 3: 三极管 D：NPN硅管 A:PNP锗 B：NPN锗 C:PNP硅 E：化合物材料 G：高频小功率晶体管 4：序号 * ③由于它同时具备输入电阻高和输出电阻低的特点，它可作为多级放大器的隔离级，实现阻抗变换； 如对于多级放大器前后级匹配不当的电路，如直接相接将大大影响其电压放大倍数。如在这两级电路中间加一级射极输出器由于它的输入电阻高，在与前级电路相连后，使前级放大倍数提高；由于它的输出电阻很低，在与后级电路相连后，使后级电路的电压放大倍数提高。 ④虽然它不具备电压放大作用，但它具有电流放大作用，以及功率放大作用。 * Rb3的下端相当于接到三极管的射极，即输出端上；Rb3的上端则与输入端（基极）相连； 由于射极输出器的输出电压和输入电压的相位相同，幅值接近相等，因此两端的电位几乎相等，流过Rb3的电流很小。 * * 共射极放大电路： 电压和电流增益都大于1，输入电阻在三种组态中居中，输出电阻与集电极电阻有很大关系。适用于低频情况下，作多级放大电路的中间级。 共集电极放大电路： 只有电流放大作用，没有电压放大，有电压跟随作用。在三种组态中，输入电阻最高，输出电阻最小，频率特性好。可用于输入级、输出级或缓冲级。 共基极放大电路： 只有电压放大作用，没有电流放大，有电流跟随作用，输入电阻小，输出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好，常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合，模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。 * * * 左： U01输出时为共射， Uo2输出时为共集 有Re直流负反馈稳定Q点 右：共