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第5章半导体器件三极管
第5章 半导体器件;
在热力学温度零度
和没有外界激发时,
本征半导体不导电。;+4;+4;+4; N 型半导体结构示意图;+4; P 型半导体结构示意图;P 区;多子扩散;内电场方向;; 正极引线;600;5.2.3 二极管的主要参数;D;? t ;5.3 稳压管;0;(4) 稳压二极管;RL;UZW=10V ui=12V
R=200 ?
Izmax=12mA
Izmin=2mA
RL=2k? (1.5 k? ~4 k?) ;三极管学习内容：;5.4 半导体三极管;集电区;发射区向基区
扩散电子;三极管工作状态(一) 放大状态;三极管工作状态(二) 饱和状态;三极管工作状态(三) 截止状态;IB;IB =40μA;IC / mA;5.4.4 三极管的主要参数 ;60μA;0;SiO2;SiO2;P型硅衬底;P型硅衬底;结构示意图;N型硅衬底;1. P沟道增强型绝缘栅场效应管;在UDS =0时，栅源电压与栅极电流的比值，其值很高。;
另外，漏源极间的击穿电压U(BR)DS、栅源极间的击
穿电压U(BR)GS以及漏极最大耗散功率PDM是管子的极限
参数，使用时不可超过??
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