第一章半导体分立元件.ppt

1.1.2 N型半导体和 P 型半导体 1.1.2 N型半导体和 P 型半导体 1.1.3 PN结 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 1.2 半导体二极管 1.2.1 基本结构 1.2.2 伏安特性 1.2.3 主要参数 1.2.4二极管电路分析举例 1.2.5 特殊二极管 3. 主要参数 1.3 半导体三极管 1.3.1 基本结构 1. 3. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 1.3.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 (a)图中因为集电极—发射极电压小于1V，故可判断它工作在饱和区。 (b)图中显然满足三极管在放大区工作的条件，故它工作在放大区。 (1)中间值应为B极 (2)UBE=0．7V为硅管，UBE=0．2V为锗管，并可确认E极。 (3)发射结应该正向偏置，集电结应该反向偏置。NPNVCVBVE 1.3.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 电阻的作用: ?起限流作用，以保护稳压管； ?当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 正常稳压时 UO =UZ 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 不加R可以吗？ 当Ui为正弦波，且幅值大于UZ ， UO的波形是怎样的？ 二.光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 符号 三.发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十mA 光电二极管 发光二极管 补、二极管管脚极性及质量的判断 在 R ? 100或 R ? 1 k 档测量 红表笔是(表内电源)负极， 黑表笔是(表内电源)正极。 正反向电阻各测量一次， 测量时手不要接触引脚。 (1) 用指针式万用表检测 *一般硅管正向电阻为几千欧，锗管正向电阻为几百欧；反向电阻电阻为几百千欧。 *正反向电阻相差小为劣质管。 正反向电阻都是无穷大或零则二极管内部断路或短路。 ?1k ? 0 ? 0 ? 0 (2) 用数字式万用表检测 红表笔是(表内电源)正极， 黑表笔是(表内电源)负极。 2k 20k 200k 2M 20M 200 ? 在 挡进行测量，当 PN 结完好且正偏时，显示值为 PN 结两端的正向压降(V)。反偏时，显示 。 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 三极管 外形和引脚 E B C E C B E B C B E C E B C 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成I