通信电子电路于洪珍第二章 第3～5节1.ppt

2.3 单调谐放大器 按调谐回路分----单调谐放大器 双调谐放大器 参差调谐放大器 按晶体管连接方法分---- 共b、共e、共c 放大器 重点讲共发射极（共e ）单调谐放大器 一、技术指标 1.放大能力 用谐振时的放大倍数 K0 表示。 2.选频性能 (1) 通过有用信号的能力 即具有一定的通频带。 放大器能有效放大的频率范围 (2)??抑制无用信号的能力 即有足够的选择性。 放大器对其他频率信号抑制能力的衡量。 二、工作原理  1. 电路组成 2. 电压放大倍数K 3. 谐振电压放大倍数K0 谐振时， 谐振电压放大倍数 三、选频性能 1. K－f 特性 2. K/K0－f 特性 3. 通用谐振曲线 四、调谐放大器的最大增益、阻抗匹配条件  K0 受多种因素影响，一般是采用通过调整匝比的方 法获得高的增益。 2.4 晶体管高频等效电路及频率参数 晶体管在低频工作时，常将晶体管的电流放大系数（ ）看成与频率无关的常数。 但晶体管在高频工作时，电流放大系数与频率则有明显的关系，频率越高，电流放大系数越小。这直接导致管子的放大能力下降，限制了晶体管在高频范围的应用。 复习晶体管低频等效电路 一、晶体管混合 型等效电路 晶体管在高频工作时，常用混合 型等效 电路来分析。该等效电路共有8个元件。 1. Rb’e是发射结的结电阻。一般是几百欧。 2. Rb’c 是集电结电阻。约为10kΩ至10MΩ 。 3.rbb’ 是基极体电阻。高频晶体管在15?50Ω之间。 4.rce 是集－射极电阻。它表示集电极电压对电流的影响。它的数值一般在几十千欧以上，典型值为30?50kΩ。 5.电流源 gmUb’e 代表晶体管的电流放大作用，它与加到发射结上的实际电压Ub’e 成正比，比例系数 gm 称为晶体管的互导。 6．Cb’e是发射结电容。它随工作点电流增大而增大。它的数值范围为20pF?0.01μF； 7．Cb’c 是集电结电容。它随c、b间反向电压的增大而减小，它的数值是10pF上下； 8． Cce 是集－射极电容。这个电容通常很小。一般在2?10pF之间。 在实际应用中，可用简化的混合 型等效电路。 从等效电路可以看出，输入电流 分成三部分 , 当c、e短路时， 与 并联，因 ，故 ，故在此情况下 可忽略不计。 二、晶体管的高频放大能力及频率参数  1. 晶体管的高频放大能力 共发射极短路电流放大系数： 2. 晶体管的频率参数 (1) 截止频率 （共射截止频率）： 下降到0.707 时的频率。 (2) 特征频率 fT 下降到1时的频率。 (3) 截止频率 （共基截止频率）： 下降到0.707 时的频率。 (4）最高振荡频率 fmax 晶体管的共射极接法功率放大倍数Kp 下降到1时的频率 。 3. 三个频率参数之间关系 、 、 三个频率的关系 式中 是一个系数，通常在0.6?0.9之间， 随晶体管类型而异。 4. Y参数的物理意义 晶体管的输入导纳 它说明了输入电压对输入电流的控制作用。 四、混合 型等效电路参数与Y参数的关系  晶体管的混合 型等效电路分析法物理概念比较清楚，对晶体管放大作用的描述较全面，各个参量基本上与频率无关。因此，这种电路可以适用于相当宽的频率范围。但该等效电路比较复杂。 Y参数等效电路是从外部来研究晶体管的作用。而且在实际中，高频放大器的谐振回路、负载阻抗和晶体管大都是并联关系的。因此，在分析放大器时，用Y参数等效电路比较适合，因为这时各并联支路的导纳可以直接相加，运算方便，此外，晶体管的Y参数可以用仪器直接测量。 总之，混合 型等效电路和Y参数等效电路是对同一对象（晶体管）两种不同的等效分析方法，各有特点，在实际中可根据具体情况选择采用哪一种方法。 2.5 高频调谐放大器一、单级高频调谐放大器的电压放大倍数 1. 单级调谐放大器高频等效电路 是回路本身的谐振电导， 是集电极c的 接入系数， 是负载导纳的接入系数