ASEMI核心数据资料、SBT30100VFCT二极管潜在数据.pdf

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ASEMI核心数据资料、SBT30100VFCT二极管潜在数据

编辑人:MM 摘要 : 这是一个信息数据的时代,掌握数据就有可能赢得胜利。SBT30100VFCT低压降肖特 基二极管ASEMI工程师解读小参数大数据,让您采购无忧! 型号:SBT30100VFCT 品牌:ASEMI 封装:ITO-220AB 特性:肖特基二极管 ★电性参数:30A100V ★芯片材质:SI ★正向电流 : (Io) 20A ★芯片个数:2 ★正向电压 : (VF) 0.54V ★芯片尺寸:93MIL ★浪涌电流Ifsm:120A ★是否进口:是 ★漏电流 : (Ir) 20UA ★工作温度:-55~+150℃ ★恢复时间 : (Trr) 5nS ★引线数量:3 SBT30100VFCT 低压降肖特基二极管参数规格: SBT30100VFCT 低压降肖特基二极管电流:30A ; SBT30100VFCT 低压降肖特基二极管电压:100V; 低压降肖特基二极管管装: 管;盒装: 盒。 SBT30100VFCT 50/ 1000PCS/ SBT30100VFCT 低压降肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、 低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二 极管、小信号检波二极管使用。 SBT30100VFCT低压降肖特基二极管,台湾ASEMI品牌。其电性 参数为:最大正向电流30A ,最大反向耐电压100V,峰值浪涌 电流为120A,正向压降为0.54V,漏电流为20UA。产品采用了 高达99.99%的无氧铜框架与引脚使其内阻降低,并提升导电通 过性能30%以上。 SBT30100VFCT采用的是ITO-220AB全塑封装,这款封装很大优 势在于绝缘性与阻燃性表现非常优秀。采用了5A级环氧树脂封 装材料,封装强度高保障内部芯片、焊片、框架,不氧化不碎裂 不漏电。SBT30100VFCT采用了进口俄罗斯米克朗93mil双芯片, 高抗冲击性能与一致性能提升40%以上。 SBT30100VFCT 肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱 动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、 保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号 检波二极管使用。

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