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从品质工程看RAM Bus之挑战
从品质工程看RAM Bus之挑战
作者:张忠朴
?
1.台上的热闹 ?
3/6 TPCA在扬升高尔夫球场,举办了第三届技术研讨会,其中第二个主题因为介绍RAM Bus Board的规格与技术,因此吸引了大批人潮,造成全场爆满。
当天主讲者Intel总公司的Mr. Pete Muller提到几个重点: ?
在超高速率(400MHz)的PC上,AC Timing将由现在的10ns降至1.25ns。
为了确保信号传输的品质,RDRAM的规格已率先改为28Ω。
受此冲击,Mother Board的阻抗规格也必须从现行的65Ω±15%降至28Ω±10%。
在这么严格的新规格下,PCB业界必需更重视下列关键特性:
? ──介电层厚度(最重要) ──线路宽度(相对次要) ──Prepreg的介电系数(重要)
除了PCB的设计与制造外,由于阻抗规格如此严格,因此,在测试方面就必须更讲究(这个想法的背景是在作精密量测时,都必须注意的GRR问题,有兴趣的朋友可以花时间研究GRR),所以Intel在专题报告中特别花了近一半的时间说明:
? ──TDR(Time Domain Reflection)的测试原理。 ──测试设备的选择(GRR的成败关键之一)。 ──Test Coupon的设计与原理(与TDR之要求要相一致)。 ──测试程序(亦会间接影响GRR)。 ──大量生产(HVM)时之测试方法。
从品质工程看RAM Bus之挑战 张忠朴 着 2.后台的门道 ?
听完Intel的专题报告总觉得有点美中不足,不知Intel是否太谨守作客之道,不好当面泼主人冷水,而避谈了一个既严肃而又严重的问题,那就是28Ω±10%的新规格其实是一个要人命的门槛,如果从Prepreg选用到压合这段关键制程没有澈底的大革命,那么量产时仅阻抗不良率此一单项缺点将可能暴增至15%以上,这绝非危言耸听,只要我们回到制程能力的基本面来思考一下,就可水落石出了。
Case1:现况(新规格采用前) ?
1.规格:65Ω±15%(=65Ω±10Ω) 2.阻抗现况(假设值):?=65?=3.3 3.现有制程能力:Ca=0 Cp=1.0101(注一) 4.图解: ? ?
5.结论:现有不良率:0.244%(指阻抗值此一单项而言)
当这家原本没有阻抗问题的PCB板厂面对新规格时 立刻会发生什么事情呢?我们就以Case2来作说明:
Case2:新规格采用后 ?
1.规格:28Ω±10%(=28Ω±2.8Ω) 2.阻抗现况(假设值):=28?=1.4 3.新制程能力:Ca=0 Cp=0.6667(注二) 4.图解: ? ?
?
5.结论:阻抗不良率将增至4.55%(因为在新规格下只有±2的产品会落在规格上下限内,参考常态分配表含盖在±2内的机率仅为95.44%)
有人或许会认为不良率上升到4.55%不值得紧张,但是这其实只是一个十分理想的状况,因为在Case2中,我们先采用了Ca=0这个最理想的假设,所以才会有这么低的不良率,事实上在量产时Ca=0是天方夜谭的故事,因此,若我们再稍作仿真,看看真实的若偏离28Ω之后会发生怎样的结果?那么就会出现下表中的各种状况: ? ?
状况 1 2 3 4 5 6 7 28 27.5 27 26.5 26.5 26.5 26.5 1.4 1.4 1.4 1.4 1.2 1.0 0.8 Ca 0 -0.178 -0.357 -0.536 -0.536 -0.536 -0.536 Cp 0.67 0.67 0.67 0.67 0.777 0.933 1.167 不良率 4.55% 5.94% 10.26% 17.76% 13.95% 9.68% 5.21% 请您猜猜其中那一种状况与目前已制作Sample的一些厂商最接近呢?居然是3/4/5/6(视每一家控制变异的细腻程度而定),由此可见,我们除了要重视RAM Bus这个机会外,其实还需要更重视28Ω±10%这个新规格所带出的冲击,因为若无法有效提升制程能力,那么所增加的不良率就会吃掉所有单价的差异,甚至还有可能成为赔钱及赔上商誉的陷阱。
?
从品质工程看RAM Bus之挑战 张忠朴 着 3.严酷的挑战 ?
Intel在专题报告中虽然没有如此明讲新规格对业者冲击的严重性,不过倒是很够意思的提供了三张回归分析图,这3张图分别是: ?
介电层厚度(H)与阻抗值回归分析图
内层线宽(W)与阻抗值回归分析图
Prepreg介电系数(εr)与阻抗值
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