工艺集成电路10.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 七．接触(孔)的形成 * 钛金属接触的制作 1．钛的淀积 钛淀积 2．退火 钛硅化物接触形成 3．钛刻蚀 八．局部互连(LI)工艺 * LI氧化硅介质的形成 1．氮化硅化学气相淀积 氮化硅CVD 2．掺杂氧化物的化学气相淀积 3. 氧化层抛光（CMP） 4．第九层掩膜(光刻9) “局部互连” 局部互连刻蚀 * LI金属的制作 1.金属钛淀积(PVD工艺) 2. 氮化钛(TiN)淀积 3. 钨淀积(CVD工艺) 4. 磨抛钨(CMP工艺) 九．通孔1和钨塞1的形成 * 通孔1的制作 1．第一层层间介质氧化物淀积（CVD） 2．氧化物磨抛（CMP） 3．第十层掩膜(光刻10) “ILD-1” 第一层层间介质刻蚀 * 钨塞1的制作 1.???金属淀积钛阻挡层（PVD） 2.?? 淀积氮化钛（CVD） 3．淀积钨（CVD） 4. 磨抛钨（CMP） 十．第一层金属（金属1）互连的形成 * 金属1互连的制作 1．金属钛阻挡层淀积（PVD） 2．淀积铝铜合金（PVD） 3．淀积氮化钛（PVD） 4．第十一层掩膜(光刻11) “金属1互连” 金属刻蚀 十一. 通孔2和钨塞2的形成 * 通孔2的制作 1. ILD-2间隙填充 2．ILD-2氧化物淀积 3．ILD-2氧化物平坦化（CMP） 4．第十二层掩膜(光刻12) ILD-2刻蚀 * 钨塞2的制作 1．金属淀积钛阻挡层（PVD） 2．淀积氮化钛（CVD） 3．淀积钨（CVD） 4．磨抛钨（CMP） 十二. 第二层金属（金属2）互连的形成* 金属2互连的制作1．? 淀积、刻蚀金属22．? 填充第三层层间介质间隙3．? 淀积、平坦化ILD-3氧化物4. 刻蚀通孔3，淀积钛/氮化钛，淀积钨，平坦化 十三. 制作第三层金属（金属3）直到 制作压点和合金 BiCMOS集成电路工艺 结合双极工艺、CMOS工艺的优点 双极工艺：高速，驱动力强 CMOS工艺：高集成度，功耗小 类型： 以CMOS工艺为基础（利于保障CMOS器件） 以双极工艺为基础（利于保障双极器件） * 一.双阱工艺 * n阱的形成 1. 外延生长 2. 氧化生长 3.第一层掩膜（光刻1）“n阱注入” 4. n阱注入 磷注入 5. 退火 * p 阱的形成 1. 第二层掩膜(光刻2) “p阱注入” 2. p阱注入 硼注入 3. 退火 二.浅槽隔离工艺* 槽刻蚀1．长隔离氧化层 2. 氮化硅淀积  Si3N4 3.第三层掩膜(光刻3) “浅槽隔离” 4. STI槽刻蚀 在外延层上选择刻蚀开隔离区 去光刻胶 * STI氧化物填充 1. 沟槽衬垫氧化硅 2. 沟槽CVD氧化物填充 隔离槽CVD氧化硅 * STI 氧化层抛光 — 氮化物去除 1. 沟槽氧化物抛光(CMP) 2. 氮化物去除 三．多晶硅栅结构工艺 1．栅氧化层的生长 2．多晶硅淀积 3．第四层掩膜(光刻4) “多晶硅栅” 4．多晶硅栅刻蚀 四．轻掺杂漏注入工艺 * n- 轻掺杂漏注入 1．第五层掩膜(光刻5) “n-LDD注入” 2．n- LDD注入 砷注入 * p- 轻掺杂漏注入1．第六层掩膜(光刻6) “p-轻掺杂注入” 2．p- LDD注入 BF2注入 五．侧墙的形成 1．淀积二氧化硅 2．二氧化硅反刻 用各向异性等离子刻蚀机进行侧墙反刻 六．源/漏注入工艺 * n+ 源/漏注入 1．第七层掩膜(光刻7) “n+源/漏注入” 2．n+源漏注入 砷注入 * p+ 源/漏注入 1．第八层掩膜(光刻8) “p+源/漏注入” 2．p+