- 1、本文档共93页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
模拟电路第1章 常用半导体器件
6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管, 所发出的焦耳 热为: PC =ICUCE 必定导致结温 上升,所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 §1.4 场效应晶体管 场效应管与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N 基底 :N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 1.4.1 结型场效应管: 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 二、工作原理(以P沟道为例) UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏,UGS越大则耗尽区越宽,导电沟道越窄。 P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N UGS越大耗尽区越宽,沟道越窄,电阻越大。 但当UGS较小时,耗尽区宽度有限,存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 P G S D UDS UGS N N UDS=0时 UGS达到一定值时(夹断电压VP),耗尽区碰到一起,DS间被夹断,这时,即使UDS ? 0V,漏极电流ID=0A。 ID P G S D UDS UGS UGSVp且UDS0、UGDVP时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端,PN结反压越大 ID P G S D UDS UGS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性,但是是非线性电阻。 ID 2) 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容,此电容由两部分组成:势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容:势垒区是积累空间电荷的区域,当电压变化时,就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化,这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容:为了形成正向电流(扩散电流),注入P 区的少子(电子)在P 区有浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P 区有电子的积累。同理,在N区有空穴的积累。正向电流大,积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时,由于载流子数目很少,扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路: 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 二极管:死区电压=0 .5V,正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管:死区电压=0 ,正向压降=0 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例1:二极管半波整流 二极管的应用举例2: t t t ui uR uo R RL ui uR uo 1.2.5 稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡,电压越稳定。 + - UZ 动态电阻: rz越小,稳压性能越好。 (4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 (5)最大允许功耗 稳压二极管的参数: (1)稳定电压 UZ (2)电压温度系数?U(%/℃) 稳压值受温度变化影响的的系数。 (3)动态电阻 稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 负载电阻 。 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时,负载电压基本不变。 解:令输入电压达到上限时,流过稳压管的电流为Izmax 。 求:电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 令输入电压降到下限时,流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2,可解得: 1.2.6 其他二极管 1)光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 2) 发光二极管 有正向电流流过时,发出一定波长范围的光,目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光,它的电特性与一般二极管类似。 §1.3 双极型晶体管 1.3.1 晶体管的结构及类型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区:较薄,掺杂浓度低 集电区:面积较大 发射区:掺 杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 1.3.2 晶体管的电流放大作用 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE ,多数扩散到集电结。 发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。 B
您可能关注的文档
- 植物生理学2-矿质营养.ppt
- 概念设计调研.ppt
- 模块5 受压构件承载能力极限状态设计计算.ppt
- 模具设计5拉深工艺与模具.ppt
- 模具设计与制造中工件的加工工艺.ppt
- 模块七 回转机构.ppt
- 模块一:信息技术简介1.信息.ppt
- 模块6 柴油机燃料供给系的构造与维修.ppt
- 模块二行政公文第2节.ppt
- 模块五 反馈放大电路.ppt
- 2024高考物理一轮复习规范演练7共点力的平衡含解析新人教版.doc
- 高中语文第5课苏轼词两首学案3新人教版必修4.doc
- 2024_2025学年高中英语课时分层作业9Unit3LifeinthefutureSectionⅢⅣ含解析新人教版必修5.doc
- 2024_2025学年新教材高中英语模块素养检测含解析译林版必修第一册.doc
- 2024_2025学年新教材高中英语单元综合检测5含解析外研版选择性必修第一册.doc
- 2024高考政治一轮复习第1单元生活与消费第三课多彩的消费练习含解析新人教版必修1.doc
- 2024_2025学年新教材高中英语WELCOMEUNITSectionⅡReadingandThi.doc
- 2024_2025学年高中历史专题九当今世界政治格局的多极化趋势测评含解析人民版必修1.docx
- 2024高考生物一轮复习第9单元生物与环境第29讲生态系统的结构和功能教案.docx
- 2024_2025学年新教材高中英语UNIT5LANGUAGESAROUNDTHEWORLDSect.doc
文档评论(0)