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LDMOS器件仿真设计实验
电子科技大学
学生姓名: 于全东
学 号: 201322030315
指导教师: 乔明
一、实验室名称: 211楼803
二、实验项目名称:
半导体功率器件与智能功率IC实验——LDMOS器件仿真设计实验
实验原理:
利用medici仿真实验
四、实验目的:
通过实验,了解LDMOS器件的结构,掌握LDMOS器件的设计方法,熟悉MEDICI软件的使用。
五、实验内容:
完成一种700V RESURF LDMOS器件完整的设计仿真工作,其指标达到预定要求。其中,主要针对器件耐压、阈值电压、跨导、开态特性进行仿真优化,确定栅氧厚度、沟道浓度、栅长、漂移区掺杂、漂移区厚度等重要的浓度和结构参数。
通过改变漂移区浓度,获得RESURF
LDMOS指标要求:
BV 700V, VT 1~2V, VG 7V max
六、实验器材(设备、元器件):
MEDICI软件
七、实验步骤:
LDMOS结构定义:
title ldmos
assign name=nd n.val=7e14
assign name=pwell n.val=8e16
assign name=dpwell n.val=1.2
assign name=tepi n.val=13
assign name=ld n.val=60
assign name=dsub n.val=15
mesh smooth=1
x.mesh width=@ld h1=1.2
y.mesh n=1 L=-0.35
y.mesh n=6 L=-0.02
y.mesh n=7 l=0
y.mesh depth=0.2 h1=0.2
y.mesh depth=@dpwell-0.2 h1=0.2
y.mesh depth=@tepi-@dpwell h1=0.1 h2=0.2
y.mesh depth=@dsub h1=0.2 h2=0.4 h3=2
region name=si y.max=@tepi silicon
region name=sub y.min=@tepi silicon
region name=sio y.max=0 oxide
electrod name=gate x.min=1.9 x.max=3.5 y.min=-0.35 y.max=-0.02
electrod name=source x.max=1.3 y.max=0
electrod name=drain x.min=@ld-0.8 y.max=0
electrod name=sub bottom
$$$$$ n drift $$$$$$$
profile region=si n-type n.peak=@nd uniform
$$$$$ n-buffer $$$$
profile region=si n-type n.peak=5e16 xy.ratio=0.6 x.min=@ld-2 y.junction=@dpwell
$$$$$ p-well $$$$
profile region=si p-type n.peak=@pwell+@nd xy.ratio=0.6 x.min=0 x.max=2.6 y.junction=@dpwell
profile region=si p-type n.peak=1e20 x.min=0 x.max=2.6 y.min=@dpwell-0.6 y.max=@dpwell-0.1 uniform
$$$$ n+/p+ source $$$$
profile region=si p-type n.peak=1e20 xy.ratio=0.4 x.min=0 x.max=1 y.junction=0.2
profile region=si n-type n.peak=1e20 xy.ratio=0.4 x.min=1 x.max=2 y.junction=0.2
$$$ drain $$$
profile region=si n-type n.peak=1e20 xy.ratio=0.4 x.min=@ld-1 y.junction=0.2
$$$$$ psub $$$$$$$
profile region=sub p-type n.peak=5e14 uniform
regrid ignore=sio doping logarith ratio=1 smooth=1 cos.angle=0.8
$$$$ gate material $$$$$
contact name=gate n
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