LDMOS器件仿真设计实验.doc

电子科技大学 学生姓名： 于全东 学 号： 201322030315 指导教师： 乔明 一、实验室名称： 211楼803 二、实验项目名称： 半导体功率器件与智能功率IC实验——LDMOS器件仿真设计实验 实验原理： 利用medici仿真实验 四、实验目的： 通过实验，了解LDMOS器件的结构，掌握LDMOS器件的设计方法，熟悉MEDICI软件的使用。 五、实验内容： 完成一种700V RESURF LDMOS器件完整的设计仿真工作，其指标达到预定要求。其中，主要针对器件耐压、阈值电压、跨导、开态特性进行仿真优化，确定栅氧厚度、沟道浓度、栅长、漂移区掺杂、漂移区厚度等重要的浓度和结构参数。 通过改变漂移区浓度，获得RESURF LDMOS指标要求： BV 700V, VT 1~2V, VG 7V max 六、实验器材（设备、元器件）： MEDICI软件 七、实验步骤： LDMOS结构定义： title ldmos assign name=nd n.val=7e14 assign name=pwell n.val=8e16 assign name=dpwell n.val=1.2 assign name=tepi n.val=13 assign name=ld n.val=60 assign name=dsub n.val=15 mesh smooth=1 x.mesh width=@ld h1=1.2 y.mesh n=1 L=-0.35 y.mesh n=6 L=-0.02 y.mesh n=7 l=0 y.mesh depth=0.2 h1=0.2 y.mesh depth=@dpwell-0.2 h1=0.2 y.mesh depth=@tepi-@dpwell h1=0.1 h2=0.2 y.mesh depth=@dsub h1=0.2 h2=0.4 h3=2 region name=si y.max=@tepi silicon region name=sub y.min=@tepi silicon region name=sio y.max=0 oxide electrod name=gate x.min=1.9 x.max=3.5 y.min=-0.35 y.max=-0.02 electrod name=source x.max=1.3 y.max=0 electrod name=drain x.min=@ld-0.8 y.max=0 electrod name=sub bottom $$$$$ n drift $$$$$$$ profile region=si n-type n.peak=@nd uniform $$$$$ n-buffer $$$$ profile region=si n-type n.peak=5e16 xy.ratio=0.6 x.min=@ld-2 y.junction=@dpwell $$$$$ p-well $$$$ profile region=si p-type n.peak=@pwell+@nd xy.ratio=0.6 x.min=0 x.max=2.6 y.junction=@dpwell profile region=si p-type n.peak=1e20 x.min=0 x.max=2.6 y.min=@dpwell-0.6 y.max=@dpwell-0.1 uniform $$$$ n+/p+ source $$$$ profile region=si p-type n.peak=1e20 xy.ratio=0.4 x.min=0 x.max=1 y.junction=0.2 profile region=si n-type n.peak=1e20 xy.ratio=0.4 x.min=1 x.max=2 y.junction=0.2 $$$ drain $$$ profile region=si n-type n.peak=1e20 xy.ratio=0.4 x.min=@ld-1 y.junction=0.2 $$$$$ psub $$$$$$$ profile region=sub p-type n.peak=5e14 uniform regrid ignore=sio doping logarith ratio=1 smooth=1 cos.angle=0.8 $$$$ gate material $$$$$ contact name=gate n