电子技术13-7.2.1、7.2.3图解法分析Q.ppt

  1. 1、本文档共14页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
电子技术13-7.2.1、7.2.3图解法分析Q

第7章 放大电路基础 7.1 放大电路的组成及工作原理 7.2 放大电路的静态分析法 7.3 放大电路的动态分析法 7.2.1 图解分析法 图解分析法:利用晶体管的特性曲线以及负载线等,用作图的方法直接描绘出各有关的电压、电流波形; 计算分析法:是将晶体管简化成线性等效电路,然后对整个放大电路进行计算,求出各有关的电压、电流值。 以共射放大电路为典型进行分析。 7.2.1.用图解法分析静态工作情况 静态时常用直流量IB、 UBE、IC和UCE来描述晶 体管的静态工作情况。 IB、UBE可以在输入特性 确定一点;IC、UCE在输 出特性上确定一点。该 点就称为静态工作点。 静态工作点通常用Q表 示, Q点坐标为 IBQ、UBEQ、ICQ、UCEQ。 用图解法来分析静态的目的: 确定Q点。 用图解法求静态 工作点的步骤: ⑴ 画出直流通路 断开电容即可。 ⑶ 利用输出特性曲线确定UCEQ及ICQ 列输出回路及输出特性曲线方程: 7.2.3. 电路参数对静态工作点的影响 由前面讨论已知 Rb对Q点的影响 假设Rb阻值改变时,其他参数不变。由式 7.3 放大电路的动态分析 输入交流信号ui≠0,此时电路中各处为直流与交流的叠加。 ⑵ 利用输出特性画出iC和uCE波形 当ui≠0时,有VCC = iCRc + uCE,其中iC与uCE既有直流分量又有交流分量。 它反映了瞬时电量之间的关系,故称为动态负载线或交流负载线(Dynamic Load Lines)。 由输入特性曲线已得到iB的波形,且有 VCC = iCRc + uCE 取两点(VCC,0)和(0, VCC/Rc) iC = f (uCE)| iB = 常数 ?多条曲线。 * 7.2.1 图解法确定静态工作点 7.2.2 解析法确定静态工作点 7.2.3 电路参数对静态工作点的影响 7.3.1 图解法分析动态特性 7.3.2 放大电路的非线性失真 7.3.3 晶体管微变等效电路 7.3.4 3种基本放大电路的分析 Rb + _ +VCC T RC ui + _ (a) 共射极放大电路 uo iB uBE + - iC uCE - + RL 7.2.1.用图解法分析静态工作情况 列输入回路方程。 VCC= iBRb+uBE 写输入特性曲线方程 iB = f (uBE)| uCE = 常数 求解,即为IBQ、UBEQ ⑵ 利用输入特性曲线来确 定IBQ和UBEQ uBE Rb + _ +VCC T RC ui + _ uo iB uBE + - iC uCE - + RL × × iB 0 (a) UBEQ IBQ N VCC/Rb -1/Rb VCC 直流负载线 iC = f (uCE) | iB = 常数 VCC = iCRc + uCE 方程VCC = iCRc + uCE 可写成斜截式方程 取两点(0,VCC/Rc),(VCC,0),连成直线。 (b)直流通路 Rb +VCC T RC iB uBE + - iC uCE - + iC 0 uCE IBQ -1/Rc VCC VCC/Rc Q H L UCEQ ICQ 输出特性的直流负载线, 如果改变电路参数Rc、Rb、VCC就会改变静态工作点。 Q1 M Rc对Q点的影响 假设Rc阻值改变时,其他参数不变。由上式 Rc↓?1/ Rc↑ ?VCC/ Rc↑ Rc ↑? 静态工作点左移到Q2。接近饱和区 iC (mA) Q (b) 电路参数对输出特性上Q点的影响 uCE (V) VCC(L) H 0 iB = 60μA iB = 50μA iB = 40μA iB = 30μA iB = 20μA iB = 10μA ?负载线与曲线的交点右移到Q1,远离饱和区 Q2 N Rb↓?1/ Rb↑ ?VBB/ Rb↑ ?静态工作点上移到Q2? IBQ↑ ? 饱和区 Q uBE (V) (a)电路参数对输入特性上Q点影响 iB (μA) 0 J K I Q2 Q1 Rb ↑? 静态工作点下移到Q1? IBQ↓ ?截止区 VCC? IBQ增大,假设从20μA增到30μA iC (mA) (b) 电路参数对输出特性上Q点的影响 uCE (V) M VCC(L) H 0 iB = 60μA iB = 50μA iB = 40μA iB = 30μA iB = 20μA iB = 10μA Q Q1 Q2 Rb↓、 Rc ↑、 ? 饱和

文档评论(0)

wyjy + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档