一常用半导体.ppt

掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响。 思考题 例2：设二极管的导通电压忽略，已知ui如图所示，画出uo的波形。 例4：设二极管的导通电压忽略，已知ui=10sinwt(V)，E=3V，画uo的波形。 例6：VA=3V, VB=0V，求VF (二极管的导通电压忽略) 例1：电路如图，求流过稳压管的电流IZ，R是否合适？ 例2：电路如图，IZmax=50mA，R=0.15KΩ, UI=24V, IZmin=5mA, UZ=12V，问当RL=0.2KΩ 时，电路能否稳定，为什么？当 RL=0.8KΩ时，电路能否稳定，为什么？ 例3：电路如图，UI=12V，UZ=6V，R=0.15KΩ，IZmin=5mA，IZMAX=30mA,问保证电路正常工作时RL的取值范围 例4：已知u=10sin(?t)V ,UZ=6V, IZmin=10mA ， Izmax=30mA, 画出uo的波形(导通电压为0.7V)。 例5：已知u=10sin(?t)V，UZ= +6V，IZ=10mA ， Izmax=20mA，导通电压为0.7V，画出uo的波形。 实物图 电流之间关系 3、输出特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图所示。它是以iB为参变量的一族特性曲线。 当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，运动到集电结的电子基本上都可以 被集电区收集，此后uCE再 增加，电流也没有明显的 增加，特性曲线进入与uCE 轴基本平行的区域 (这与 输入特性曲线随uCE增大而 右移的原因是一致的)。 4、半导体三极管的参数 (1)特征参数 1共发射极直流电流放大系数 在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC/IB，如左图所示。在IC较小时和IC较大时， 会有所减小，这一关系见图。 在放大区? 值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X 轴的 直线求取?IC/?IB。或在 图上通过求某一点的斜 率得到?。具体方法如图 所示。 1 集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。 (2)极限参数①最大集电极电流ICM 如图所示，当集电极电流 增加时，? 就要下降，当 ?值下降到线性放大区?值 的2/3时，所对应的集电极 电流称为集电极最大允许 电流ICM 。当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。 ②最大集电极耗散功率PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM=ICUCB≈ ICUCE ，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用UCE取代UCB。 由PCM、 ICM和U(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图 6、半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 场效应管的特点 场效应管的分类及符号 b．漏源电压uDS对漏极电流ID的控制作用 (2)N沟道耗尽型 当UGS＞0时，将使ID进一步增加。UGS＜0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。 (3)P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。 三、伏安特性曲线 场效应三极管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。如果按统一规定正方向，特性曲线就要画在不同的象限。为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定。 四、场效应三极管的参数和型号 ① 开启电压UGS(th) (或UT) 开启电压是增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109--1015Ω。 (2) 场效应三极管的型号 场效应三极管的型号