cmos工艺名词解释.doc

CMOS工艺名词解 saliside——当金属和硅化物接触时会产生一层融合物，叫难融金属硅化物，此及saliside。 siliside——一种工艺，在源漏区淀积（或是叫覆盖？）硅化物，这样一种 工艺就叫siliside。 poliside——也为一种工艺，乃在栅极poly上淀积硅化物。 A.M.U 原子质量数 ADI After develop inspection显影后检视 AEI 蚀科后检查 Alignment 排成一直线，对平 Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值 ARC： anti-reflect coating 防反射层 ASHER: 一种干法刻蚀方式 ASI 光阻去除后检查 Backside 晶片背面 Backside Etch 背面蚀刻 Beam-Current 电子束电流 BPSG: 含有硼磷的硅玻璃 Break 中断，stepper机台内中途停止键 Cassette 装晶片的晶舟 CD：critical dimension 关键性尺寸 Chamber 反应室 Chart 图表 Child lot 子批 Chip (die) 晶粒 CMP 化学机械研磨 Coater 光阻覆盖（机台） Coating 涂布，光阻覆盖 Contact Hole 接触窗 Control Wafer 控片 Critical layer 重要层 CVD 化学气相淀积 Cycle time 生产周期 Defect 缺陷 DEP: deposit 淀积 Descum 预处理 Developer 显影液；显影（机台） Development 显影 DG: dual gate 双门 DI water 去离子水 Diffusion 扩散 Doping 掺杂 Dose 剂量 Downgrade 降级 DRC: design rule check 设计规则检查 Dry Clean 干洗 Due date 交期 Dummy wafer 挡片 E/R: etch rate 蚀刻速率 EE 设备工程师 End Point 蚀刻终点 ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤 ET: etch 蚀刻 Exhaust 排气（将管路中的空气排除） Exposure 曝光 FAB 工厂 FIB: focused ion beam 聚焦离子束 Field Oxide 场氧化层 Flatness 平坦度 Focus 焦距 Foundry 代工 FSG: 含有氟的硅玻璃 Furnace 炉管 GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性 H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.S HCI: hot carrier injection 热载流子注入 HDP：high density plasma 高密度等离子体 High-Voltage 高压 Hot bake 烘烤 ID 辨认，鉴定 Implant 植入 Layer 层次 LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏 Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污 LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化 Loop 巡路 Lot 批 Mask (reticle) 光罩 Merge 合并 Metal Via 金属接触窗 MFG 制造部 Mid-Current 中电流 Module 部门 NIT: Si3N4 氮化硅 Non-critical 非重要 NP: n-doped plus(N+) N型重掺杂 NW: n-doped well N阱 OD: oxide definition 定义氧化层 OM: optic microscope 光学显微镜 OOC 超出控制界线 OOS 超出规格界线 Over Etch 过蚀刻 Over flow 溢出 Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度 OX: SiO2 二氧化硅 P.R. Photo resisit 光阻 P1: poly 多晶硅 PA; passivation 钝化层 Parent lot 母批 Par