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集成工艺报告
集成工艺silvoco软件仿真报告
电子101 梁嘉诚1011002006
实验一 软件和仿真实例学习
实验二 单项工艺一：淀积和外延
1、淀积
2、外延
实验三 单项工艺二：刻蚀
1、简单刻蚀
2、任意形状刻蚀
3、对材料刻蚀一定的厚度
4、干法（各向异性）刻蚀
5、湿法（各向同性）刻蚀
实验四 单项工艺三：离子注入和扩
1、离子注入
（1）、init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e13 energy=70
diffuse time=30 temperature=1000 结深=0.700554
（2）、init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e14 energy=70
diffuse time=30 temperature=1000 结深=0.775545
（3)init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e13 energy=80
diffuse time=30 temperature=1000 结深=0.883432
(4)、init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e13 energy=70
diffuse time=40 temperature=1000 结深=0.87786
(5)、init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e13 energy=70
diffuse time=30 temperature=950 结深=0.776654
(6)、init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e14 energy=70
diffuse time=30 temperature=950 结深=0.72038
2、离子扩散(书本上第471页第一题）
init silicon c.phos=1.8e16 diffuse time=30 temperature=950 c.boron=1.8e20
结深=0.7282443
实验五 单项工艺：光刻
1、掩膜及成像的光强分布
2、光刻胶光刻
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