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PVD技術簡介4
PVD技術簡介 1. PVD的概念 PVD(Physical Vapor Deposition)即物理氣相沉積技朮﹐其原理如下示意圖: 2. PVD應用于金屬外殼之優點 高金屬質感和艷麗飽滿的色彩效果 優異的功能性(與基材的良好結合﹐高的硬度和耐磨性等) 底材選擇的多樣化(如不鏽鋼﹐鈦合金﹐甚至鋁合金) 制程的良好的穩定性和再現性 適應現代環保潮流 4. PVD技術魚骨圖 5. PVD成色膜係 6. PVD設備 6.2 單筒式鍍膜機 11.1 PVD前清洗處理流程 * * Ar氣體離子 電子 濺射出的靶材粒子 靶材 基材 客戶 品質檢測 作業員 鍍膜室 未鍍件 來料全檢 表面預處理 清洗 中間品檢 上挂 加熱 輝光清洗 鍍膜 成品檢驗 冷卻 鍍膜件 下挂 3. PVD生產流程圖 挂具設計 設備 真空 系統 電控 系統 激發 系統 加熱 系統 气体 材料 靶材 基材 制程 偏壓電源 氣路 膜系設計 真空度 鍍膜時間 工件旋轉速度 濺射電源 旋轉方式 裝夾系統 遮蔽系統 材料 (SUS, Ti) 等離子監控儀 (PEM) 氣體分壓控制器 ( OGC) 殘余氣體分析儀 (RGA) 氣體流量控制器 (MFC) 監控系統 膜厚 可靠度 耐磨耗 光澤度 色差 硬度 附著力 檢測系統 環境 濕度 潔淨度 防震動 防靜電 溫度 流量 分壓 位置 電流 電壓 功率 電流 電壓 佔空比 O2 Ar C2H2 N2 Ti Ni Cr Zr SUS Ti 塑膠 公轉 自轉 可操作性 形狀 尺寸 彈性 導電性 TiN, ZrN, HfN, 及這些金屬氮化物與Au的復 合膜係如TiN+Au TiC, TiAlN, SixNy, CrAlC, SUSC 單純的金屬膜Me, 及金屬的氮化物MeN如: CrN 金屬(Ti, Cr, Zr, Al, In)的氧化物形成的干涉膜 稀有金屬的硼化物如: CeB6 , SmB6 TiCN, ZrCN, CrAlN T1 T2 : 工件 : 工件的運動軌跡 : 靶材 Tn : 反應氣體 (N2, C2H2) T3 T4 T5 T6 T7 T8 6.1 連續式鍍膜機 : 工件 : 工件的運動軌跡 : 靶材 Tn : 反應氣體 真空室前門 T1 T2 T3 T4 10.1. PVD均勻性Trouble Shooting 1. 上, 中, 下(A1, C1, E1)顏色差異 2. 內外圈(A1,A2) 顏色差異 3. 單一工件3D 面顏色差異 PVD重複性 靶面刻蝕不均勻 靶材品質低 靶材發生中毒 靶面非刻蝕區臟污 真空室吸氣率高 真空密封件漏氣 反應氣體流量不穩定 反應氣體不純凈 及時Purge靶面 定期清潔靶面 定期更換真空腔體擋板 採用磁流體密封 更換可靠之流量控制器 更換純度高的氣體 10. 2. PVD重複性Trouble Shooting PVD配套製程 ---超聲波清洗前處理 PVD製程對於工件表面的清潔度要求嚴格, 故需要合理的前清洗處理工藝來保證. 強氧化 噴淋 酸洗 噴淋 除臘 噴淋 脫脂 中和 噴淋 DI水 DI水 DI水 烘乾
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