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Hspice实验报告
电子科技大学成都学院
微电子技术系
Hspice实验报告
专 业:集成电路设计与集成系统
班 级:
姓 名:
学 号:
指导教师: 廖 午 阳
成 绩:
2 0 1 1 年 6 月 8 日
实验一
图为反相器电路
1.瞬态仿真:
* lab2c - simple inverter
.options list node post
.model nch nmos
.model pch pmos
m1 vcc in out vcc pch l=1u w=20u
m2 out in 0 0 nch l=1u w=20u
.tran 200p 20n
.print tran v(1) v(2)
vcc vcc 0 5
vin in 0 2.5 pulse .2 4.8 2n 1n 1n 5n 20n
cload out 0 .75p
.end
仿真图像:
2.在DC以及不同宽长的MOS管下仿真
* lab2c - simple inverter
.options list node post
.model pch pmos
.model nch nmos
m1 vcc in out vcc pch l=1u w=wp
m2 out in 0 0 nch l=1u w=wn
.dc vin 0 5 1m sweep data=w
.param wp=10u wn=10u
.data w
wp wn
10u 10u
20u 10u
40u 5u
.enddata
vin in 0 2.5 *pulse .2 4.8 2n 1n 1n 5n 20n
cload out 0 .75p
.alter
vcc vcc 0 3
.end
仿真图像:
3.对5个首尾连接的反相器组成的振荡器进行波形仿真。
* lab2d - 5 stage driver
.options list node post
.tran 1n 30n
.print tran v(1) v(2) i(vcc)
.global vcc
vcc vcc 0 5
.ic v(1)=5
.lib E:\chy\cz6h_v20.lib tt
xinv1 1 2 inv1
xinv2 2 3 inv1
xinv3 3 4 inv1
xinv4 4 5 inv1
xinv5 5 1 inv2
.subckt inv1 in out
m1 vcc in out vcc PEPH l=1u w=20u
m2 out in 0 0 NENH l=1u w=20u
.ends inv1
.subckt inv2 in out
m1 vcc in out vcc PEPH l=1u w=20u
m2 out in 0 0 NENH l=1u w=20u
.ends inv2
.end
仿真图像:
实验二
偏置产生电路
先后直流扫描VDD和R,观察IREF、 VREF的大小
未扫描时
*mirror
.libF:\hspice0524\cz6h_v20.libtt
.options list node post
MM0 vref vref gnd! gnd! nenh W=10u L=1u m=1
RR0 vcc! vref 500K $[RP]
vcc vcc! 0 3
.dc vcc 0 5 0.1
.print v(vref) i(mm0)
.end
仿真图像:
扫描电阻时
*mirror1
.libF:\hspice0524\cz6h_v20.libtt
.options list node post
MM0 vref vref gnd! gnd! nenh W=10u L=1u m=1
RR0 vcc! vref r_value $[RP]
.param r_value=500k
.dc r_value 300k 1500k 100
vcc vcc! 0 3
.print v(vref) i(mm0)
.end
仿真图像:
在上面的基础上(使用调好的参数),分别构建1X、4X电流镜,直流扫描Vo,观察Io的大小,并计算输出电阻Ro的大小
1.当为1X电流镜时
*mirror2
.libF:\hsp
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