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SI仿真深入讲解
Allegro PCB SI仿真 Allegro SI 仿真讲解 Myron He 2010.03.02 Myron_He@ Index 仿真前准备 电路板设置 拓扑提取与仿真 前时序仿真 后时序仿真 差分对设计与仿真 仿真前准备 仿真前准备文件 Allegro PCB文件.brd 仿真信号器件IBIS模型 PCB叠层结构详细参数 仿真前准备 IBIS模型 IBIS模型输入结构 仿真前准备 IBIS模型输出结构 仿真前准备 1.添加工作库 * * Allegro PCB 630不能直接对IBIS模型进行仿真，需要使用自带的转换器将IBIS模型转换成DML模型 IBIS模型是以I/O缓冲器结构为基础，行为模块包括封装所带来的RLC寄生参数，硅片本身的寄生电容参数，电源或地的电平箝位保护电路、缓冲器特征（门槛电压、上升沿、下降沿、高电平和低电平状态）. C_pkg, R_pkg, L_pkg为封装参数 C_comp为硅片上引脚的亚焊盘电容 Power_Clamp为高端ESD结构的V/I曲线 GND_Clamp为低端ESD结构的V/I曲线 IBIS模型数据的准确性直接影响仿真的效果，同时模型数据的获得比较困难，IC供应商为目前IBIS模型数据的最有效来源. IC供应商在这方面的投资会比较大，RD需要不断Push，推动IC厂商来提供模型数据. A:为Pullup，Pulldown，包含 了高低电平的上下拉U/I曲线 B:包含了上升沿和下降沿的摆率
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