张耘 AKT CVD机台介绍Z.ppt

PC腔介绍 清洗气体 N2: ①充N2气将腔室和气体管路中的特气排出，避免在开 腔维护设备时对人员造成伤害； ②反复充入和抽出N2以清除腔室中的Particle。 SF6: Chamber在沉积Film时，除基板之外，Chamber Wall，Shadow Frame，Diffuser Frame也会沉积Film，Film不断加厚，到一定程度会脱落形成particle 。 RPSC的作用 主要是产生化学活性极强的F+,通 入Chamber与不需要的Film反应生成气体产物排出。 反应方程式如下： O2: 和多余的氢离子反应生成水排出。 降温和Vent气体 PC腔介绍 Vent: 充大气时，先慢速通入氦气和氮气的混合物5秒钟，然后在快速通入氮气，这样可以防止冲击造成破片和扬尘。 先通入有氦气是因为 :氦气的冷却效能高，而且不会燃烧,但氦气造价高昂，所以只有在慢充时才使用氦气。 PC腔介绍 电源部分 CVD机台电源由Match Box(匹配盒）和 RF Generator (高周波电源)构成 RF generator 为CVD成膜提供高频电源. Match Box匹配RF generator电阻，使得二者电阻之和与Chamber电阻相等，从而使Chamber 得到的功率最大。 消耗高周波电源提供的多余功率。 Match Box RF Generator * P/C inside各部件介绍 ● Diffuser的作用是让反应气体能够均匀的到达玻璃基板表面，从而提高Film uniformity PC腔介绍 P/C inside各部件介绍 ●Susceptor是反应的下电极，是接地的。可加热温度：200~400 oC,它的主要作用是给玻璃基板提供一个沉膜平台及提供给玻璃制程所需的温度。 Susceptor材质是：阳极氧化处理过的铝材。 PC腔介绍 接地线 Susceptor 是下电极，并且有承载玻璃的作用。 中心部位有两根heating line ；外围有一根heating line。外围heating line温度更高，防止热扩散造成外围温度过低造成整个 susceptor 温度不均，从而造成成膜不均匀。 Cooling line是在chamber需要降温时使用，可以迅速降温，减少机台down机时间。 Susceptor 冷却 和 加热器 PC腔介绍 * P/C Chamber 内破片处理流程 a 将破片 chamber降温 b 待温度降至120度以下Vent chamber，并打开chamber lid，于降温至100度以下取出玻璃 c 破片拼合，找明破片原因（填写CVD机台破片 check list） d 确认Clamp ，pin的状况 e 再将chamber lid盖回 pump down10 分钟后确认chamber 无 leak 作 chamber“手动clean”，执行15分后再做Cycle-purge recipe 2次以上，并再vent开始PM；清除残余 破片并以吸尘器清洁chamber后wet clean chamber f 更换相关零件后 将 chamber lid盖上 g Chamber进行Leak Rate检查，选Services菜单下Leak Rate等Recipe执行结束后，进入Event-Log确认各Chamber的Leak Rate在规格内，如在规格外执行处置 h Chamber进行升温，进Services菜单下Heat-UP i升温完后，再进行Process Chamber的Leak Rate检查 j Process Chamber作Clean Season Recipe K 对降温的 chamber online L 装置搬送确认 M 向MFG移交 机台异常处理流程 * a 安全第一为工作的原则 b CVD设备PM作业危害包含：切伤，割伤，夹伤，卷伤，坠落，火灾，中毒，感电，烫伤，有毒物接触，物体倒塌。 c CVD设备使用特殊气体作为生产 料，在次之前必须了解其危害，紧急联络电话。 d 安全防护措施： （1）作业前保养区域 及防护用具准备。 （2）准备围篱和告示牌及各项防护用具，计算机上挂告示牌，并免人员勿动而造成危险，并通知防灾中心。 e 在作业前，需进行安全倡导及工作注意事项，并记录工具箱会议记录表内，挂在危险告示牌旁。 F 作业时需两人或两人以上才可共同作业，不可一个人独自作业。 G 进行吊挂作业时必须由合格人员操作，周围底下 不得有人员通过。 H interlock在正常情况下严禁解除（by-pass），如