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Metal腐蚀工艺介绍

* For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * * * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch 版1 center 版2 center 版3 center edge edge edge Metal腐蚀常见异常: Metal腐蚀常见异常: AL过腐蚀: 1、AL腐蚀overetch量太大; 2、通孔腐蚀后单根AL条上剩余介质太薄 可能造成原因: Metal腐蚀常见异常: 划伤: 1、设备传输划伤 2、菜单设置不合理,生成polymer较多,polymer悬挂下划伤。 可能造成原因: Metal腐蚀常见异常: P区打毛: 1、过腐蚀量偏大。 可能造成原因: THANKS * * AL 还能做什么作用? AL-Gate, AL Electrode 常规工艺 AL工艺流程, LOCOS工艺. 根据需要 Ti/TiN barrier, TiN Arc W Plug: CD0.6um, AL 填充问题 Cu工艺流程, STI工艺, CMP, Ta Barrier,电阻率低 * 下层Ti/TiN Barrier 上层TiN ARC Ti 60 微欧-CM Ta 13-16 Cu 1.68 Al 2.65 W 8 * Cu 不易腐蚀, 电阻率低, 价格贵, 与介质和衬底Si附着性都不好, 电迁移性能好。 Ta 做为Cu工艺的Barrier层, 电阻率低于Ti * 湿法腐蚀AL用在CD3um的工艺中, 对Metal形貌要求不高。 并且如果有ARC和Barrier Layer TiN, 湿法AL腐蚀液无法腐蚀。 * 具体见Plasma腐蚀原理简介 * 这只是干法腐蚀中化学反应进行的步骤, 而物理反应是靠电子和正离子进行。原理描述见Plasma腐蚀工艺原理简介。 * 主要腐蚀气体Cl2, BCl3, BCl3+轰击. Ar轰击, CHF3保护, N2保护,催化 * For metal etch * Al 干法腐蚀更倾向于化学性腐蚀. Bias RF对Al腐蚀速率影响不大, 但是对PR选择比影响大. * For metal etch * For metal etch * 各腐蚀工艺终点波长 * 各腐蚀工艺终点波长 * For metal etch TCP9600//9400都是使用固定的单色频谱仪,不需Motor Drive. * 交联聚合物,又称交联高分子。是三维网状结构的聚合物。不溶解,不熔融。交联聚合物中常存在网络缺陷,如未反应的官能团或链末端的闭合环、套环等。 光刻胶在曝光过程中由于N2的存在, 不易形成交联状态. * * * * * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch AL腐蚀设备介绍: TCP9600:LAM公司产品,目前F5腐蚀有6台TCP9600,均为ESC(Electrostatic Chuck)类型设备; P5K Metal:APPLIED公司产品, 高压力,单功率源设备. DPS Metal:APPLIED公司产品,与TCP9600 同一代设备,工作原理一致,都是低压力,双功率源设备。 TCP9600: TCP9600: TCP9600圆片传输主要有以下7个步骤: Step1 从上料片盒取出圆片; Step2 圆片自调整和找平边; Step3 圆片通过上料腔(ELL)传到刻蚀腔(Main Chamber); Step4 从刻蚀腔中取出圆片; Step5 圆片在去胶腔(DSQ),去胶腔同时也是下料腔(XLL); Step6 圆片在流水腔(APM)中 Step7 圆片传到下料片

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