TFT-LCD干刻.ppt

工 艺 学 习 之 发 表 黄磊 2009.11.26 四. 工艺要求 1. G-WE 形状控制（优先级高） Gate层位于整个TFT基板Pattern的最下层，刻蚀形状的好坏对以后各层膜的生长及Pattern的形成都有很大影响，因此Gate层形状控制是首要的，要求形成顺Taper形。一旦出现逆Taper，使后面成膜时在Taper处容易发生断裂，其中最可能发生的是D断线 四. 工艺要求 1. G-WE 线宽控制 要求Side Etching量均一性好。如果基板上各处的Side Etching量有很大差别，导致基板各处Cgs(Gate电极与Source电极间电容量)大小不一 ，从而造成产品显示不良， 四. 工艺要求 2. D-WE 线宽控制(优先级高) 四. 工艺要求 2. D-WE 形状控制 D配线形状不好，甚至形成倒锥形结构时，将会使得上层ITO的台阶覆盖性恶化，这样在PI-WE时，刻蚀液容易渗入而造成像素Pattern断开，导致点缺陷发生。 四. 工艺要求 3. PI-WE 刻蚀残余 若刻蚀量不足，且存在ITO膜的结晶不均匀时，易产生刻蚀残余，导致点缺陷和短路。 四. 工艺要求 3. PI-WE 线宽控制 Side Etching过大，会造成ITO与接触孔的错位引起点缺陷；或引起遮光区域外(下图中白色部分)的液晶分子控制不良，导致漏光（图 (a)）。若Side Etching量过小，PI与D产生交叠部分，形成附加电容（图 (c)），引起显示不均(Mura)。因此整个基板上的Side Etching均一性不好时将引起显示不良。 四. 工艺要求 4. WE相关工艺参数 四、工艺要求 四、工艺要求 五. 不良事例 五. 不良事例 反应气体在高频电场作用下发生等离子体（PLASMA）放电。 等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。 干刻各工程对比 检查项目： PR后划伤、异物等 共通缺陷 IPRDE后Particle检 CVD后Particle 检 发生原因及相关工程： DEC刻蚀时接触电阻过大——产生原因： ① DEC刻蚀过量 ② DEC刻蚀形状较差 改善前 改善后 六、干刻常见不良 宏观微观检查－MMM 用宏观/微观检查装置对显影后和剥离后的基板进行宏观和微观的外观检查。 工程检查 宏观部分检查项目： 宏观检查确认基板表面是否有异常，例如裂缝、碎片、划伤、残留、Mura、水渍等等。 不良发现后处理： 产品基板：依产品所在工程和不良程度轻重和决定是否再工事、往下流或者废弃等等。 原因调查：根据检查基板的具体情况来进行相关生产设备状况或者工艺条件的调查、调整。 微观部分检查项目： 配列精度、预对位精度、Pattern变换、重合度、像素异常、显影/剥离残留、ITO残渣、静电破坏等等。 不良发现后处理： 产品基板：依照规格书指定的超规格值时的处理方法进行追加检查、再工事等处理。 原因调查：根据检查基板的具体情况来进行相关生产设备状况或者工艺条件的调查、调整。 配列精度 重合度 Pattern变换 工程检查 宏观微观检查－MMM 工程检查 宏观微观检查－MMM 75.2cm 26.5cm 23.7cm 91.3cm 55cm 35° 28.7cm 7cm 7cm ① ② ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ 26.5cm 24.6cm 宏观检查 工程检查 宏观微观检查－MMM 虫食 D线渗入刻蚀 划伤 剥离残留 ITOWE过刻蚀 GWE过刻蚀 微观不良照片举例 水渍 显影残留 沟道刻断 SD short 工程检查 宏观微观检查－MMM 微观不良照片举例 Sputter放电 PR异物 利用自动线幅测定装置对显影后和剥离后的基板进行像素图案的线宽、重合度进行测定。以此来及时发现产品的异常并对相应生产设备或工艺条件进行调查和调整。 工程检查 线幅测定－SEN 线幅测定检查项目： (1)GPR、G剥离、DIPR、DI剥离后的线宽 (2)DIPR、 DI剥离后后的D/G重合度。 不良发现后处理： 产品基板：依照规格书指定的超规格值时的处理方法进行追加检查、并进行再工事等处理。 原因调查：根据检查基板的各种具体情况来进行相关生产设备状况或者工艺条件的调查、调整。 GPR G剥离 工程检查 线幅测定－SEN GPR后 G线线宽 G剥离后 G线线宽 GPR： G剥离： 剥离后G线宽 PR后G线宽 GWE+剥离 GWE Side Etching量（双边）= GPR后G线宽 — G剥离后G线宽 工程检查 线幅测定－SEN DIPR DI剥离 DIPR后 D线线宽 DI剥离后 D线线