750kVGIS中隔离开关的分合闸电阻对快速暂态过电压的影响.pdfVIP

750kVGIS中隔离开关的分合闸电阻对 陕速暂态过电压的影响 余芳 。贾磊 ，周春雨 ，郭洁 (两安交通大学电气工程学院，两安 710049) 摘 要 ：随着超 高压气体绝缘 变电站 (GIS)的广泛使 用，由隔离开关 (DS)操作引起的快速暂 态过电压 (VFTO)的危害更加明显 以西北地 区750kv官亭GIS变电站为计算原型，利用EMTP 程序对 4()种运行方式进行数值仿真计算 ．建立不合分合 闸电阻和含有分合 闸电阻DS计算模型。 计算结果表明：分合 闸电阻对降低 VFTO幅值和陡度有明显作用，加入分合 闸电阻比不加分合 闸电阻时的最大VFTO幅值降低 了50％．陡度降低为 14％．电压在 1kv 以上最高频率降为 10％。 关键词 ：气体绝缘变电站 ：快速暂态过 电压；隔离开关；分合 闸电阻 中图分类号 ：TM864 文献标识码 ：A InfluenceofOpeningandClosingResistorofDisconnecting SwitchestoVFTO in750kV GIS YU Fang，JIA Lei，ZHOU Chun-yu，GUO Jie (SchoolofElectricalEngineering，XianJiaotongUnive~ity，Xian710049，China) Abstract：Theapplicationofgasinsulatedsubstation (GIS)hasexpendedyearbyyear，Harmof theveryfasttransientvoltages(VF0)causedduringdisconnectingswitches(DS)operationbecomes moreobvious．Thispaperrefersto750kV GISofGuantingsubstationinnorthwestChinapowersystem． Withtheelectro—magnetictransientprogram(EMTP)，theVFTOunder40operationmodelswassimulat— edanticalculated．AccordingtodifferentmodelsofDS，theeffectofopeningandclosingresistorwas analyzed．ComparedwiththeresultsofDSwithoutresistor。theamplitudeand steepnessofVFT0 de— creasedby 50％ and 14％．Thehighestfrequency ofcomponentwith voltageabove 1kV reduced to l0％． Keywords：GIS；VRFO；DS；openingandclosingresistor VFTO的幅值随运行 电压升高而升高 ．本身的绝缘 0 前言 裕度随运行 电压升高而降低 ．这会引起暂态地电位 GIS以其 占地少 、运行可靠 ．维修周期长等优 的升高．对二次设备 电磁干扰和对变压器 、电抗器 点得到广泛应用 。当隔离开关 (DS)和断路器(CB)操 绝缘有很大影响，严重威胁电力系统的安全运行。 作时会在 GIS内产生快速暂态过Og~-,(VFTO)，并传 在 750kVGIS系统 中，CB装设 了合 闸电阻， 播 到其连接设 备上 。在 330kV及 以上的 GIS中 ， 抑制了其操作产生的VFTO；但 DS操作时 由预击 穿、多次重燃产生的VFTO危害极大 。从 20世纪 同的计算模型进行仿真 80年代起 ．国外就开始研究在超高压 、特高压系 2．1不含分合闸电阻的DS模型 统中采用DS断 口并联分合