应变片单臂、半桥、全桥性能实验应变片单臂、半桥、全桥性能实验.ppt

1、应变片的电阻应变效应 所谓电阻应变效应是指具有规则外形的金属导体或半导体材料在外力作用下产生应变而其电阻值也会产生相应地改变，这一物理现象称为“电阻应变效应”。 以圆柱形导体为例：设其长为：L、半径为r、材料的电阻率为ρ时，根据电阻的定义式得 当导体因某种原因产生应变时，其长度L、截面积A和电阻率ρ的变化为dL、dA、dρ相应的电阻变化为dR。对式全微分得电阻变化率 dR/R为： 2、应变灵敏度 它是指电阻应变片在单位应变作用下所产生的电阻的相对变化量。 (1)金属导体的应变灵敏度K：主要取决于其几何效应；可取 其灵敏度系数为： K= 金属导体在受到应变作用时将产生电阻的变化，拉伸时电阻增大，压缩时电阻减小，且与其轴向应变成正比。金属导体的电阻应变灵敏度一般在2左右。 (2)半导体的应变灵敏度： 主要取决于其压阻效应；dR/R≈dρ?ρ。半导体材料之所以具有较大的电阻变化率，是因为它有远比金属导体显著得多的压阻效应。在半导体受力变形时会暂时改变晶体结构的对称性，因而改变了半导体的导电机理，使得它的电阻率发生变化，这种物理现象称之为半导体的压阻效应 。不同材质的半导体材料在不同受力条件下产生的压阻效应不同，可以是正（使电阻增大）的或负（使电阻减小）的压阻效应。也就是说，同样是拉伸变形，不同材质的半导体将得到完全相反的电阻变化效果。 ?半导体材料的电阻应变效应主要体现为压阻效应，其灵敏度系数较大，一般在100到200左右。 3、贴片式应变片应用 在贴片式工艺的传感器上普遍应用金属箔式应变片，贴片式半导体应变片（温漂、稳定性、线性度不好而且易损坏）很少应用。一般半导体应变采用N型单晶硅为传感器的弹性元件，在它上面直接蒸镀扩散出半导体电阻应变薄膜（扩散出敏感栅），制成扩散型压阻式（压阻效应）传感器。 4、箔式应变片的基本结构 金属箔式应变片是在用苯酚、环氧树脂等绝缘材料的基板上，粘贴直径为0.025mm左右的金属丝或金属箔制成 5、测量电路 为了将电阻应变式传感器的电阻变化转换成电压或电流信号，在应用中一般采用电桥电路作为其测量电路。电桥电路具有结构简单、灵敏度高、测量范围宽、线性度好且易实现温度补偿等优点。能较好地满足各种应变测量要求，因此在应变测量中得到了广泛的应用。 电桥电路按其工作方式分有单臂、双臂和全桥三种，单臂工作输出信号最小、线性、稳定性较差；双臂输出是单臂的两倍，性能比单臂有所改善；全桥工作时的输出是单臂时的四倍，性能最好。因此，为了得到较大的输出电压信号一般都采用双臂或全桥工作。 基本电路单臂、双臂和全桥。 （a）单臂 Uo＝U①－U③ 　 ＝〔(R1＋△R1)／(R1＋△R1＋R5)－R7／(R7＋R6)〕E 　 ＝｛〔（R7＋R6）（R1＋△R1）－R7（R5＋R1＋△R1）〕／ 〔（R5＋R1＋△R1）（R7＋R6）〕｝E 　设 R1＝R5＝R6＝R7，且△R1／R1＝ΔR／R＜＜1，ΔR／R＝Kε，K为灵敏度系数。 　则 Uo≈(1／4)(△R1／R1)E＝(1／4)(△R／R)E＝(1／4)KεE 6、箔式应变片单臂电桥实验原理图 图中R5、R6、R7为350Ω固定电阻，R1为应变片； RW1和R8组成电桥调平衡网络，E为供桥电源±4V。 桥路输出电压 Uo≈(1／4)(△R4／R4)E＝(1／4)(△R／R)E＝(1／4)KεE 差动放大器输出为Vo。 7、应变片半桥特性实验原理图 不同应力方向的两片应变片接入电桥作为邻边，输出灵敏度提高，非线性得到改善。 其桥路输出电压Uo≈(1／2)(△R／R)E＝(1／2)KεE 。 8、应变片全桥特性实验原理图 应变片全桥测量电路中，将应力方向相同的两应变片接入电桥对边，相反的应变片接入电桥邻边。当应变片初始阻值：R1＝R2＝R3＝R4，其变化值ΔR1＝ΔR2＝ΔR3＝ΔR4时，其桥路输出电压Uo≈(△R／R)E＝KεE。其输出灵敏度比半桥又提高了一倍，非线性得到改善。 三、需用器件与单元 主机箱中的±2V～±10V（步进可调）直流稳压电源 ±15V直流稳压电源 电压表 应变式传感器实验模板 托盘 砝码 4位数显万用表（自备）。 四、实验步骤 应变传感器实验模板说明：应变传感器实验模板由应变式双孔悬臂梁载荷传感器（称重传感器）、加热器+5V电源输入口、多芯插头、应变片测量电路、差动放大器组成。实验模板中的R1(传感器的左上)、R2(传感器的右下)、R3(传感器的右上)、R4(传感器的左下)为称重传感器上的应变片输出口；没有文字标记的5个电阻符号是空的无实体，其中4个电阻符号组成电桥模型是为电路初学者组成电桥接线方