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微机原理PPT教学课件-第5章 存储器
6116逻辑符号 2114逻辑符号 2164逻辑符号 例：8片6264（8K×8，SRAM）构成一个64K的存储器，分配在E0000H～EFFFFH的内存空间。 例：16位地址系统中，4片2716（2K×8，ROM）构成一个8K的只读存储器，分配在0000H～1FFFH的内存空间；8片2114（1K×4，SRAM）构成一个4K的随机存储器，分配在8000H～8FFFH的内存空间。 * * 第5章 存 储 器 随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM） 半导体存储器(内存储器、一般采用MOS管） 5.1 随机存储器 5.1.1 静态随机存储器（SRAM） 一、六管静态基本存储单元电路 X0 X1 X2 X3 Y0 Y1 Y2 Y3 二、SRAM的内部组织 Y0 Y1 Y2 Y3 A0 A1 A0 A1 X0 X1 X2 X3 Y0 Y1 Y2 Y3 A0 A1 A2 A3 Y0 Y1 Y2 Y3 Di CS WE 二、SRAM的内部组织 三、SRAM的典型例子 按位扩充 四、SRAM的外部组织 按位扩充 字节扩充 5.1.2 动态随机存储器（DRAM） 一、单管静态基本存储单元电路 二、ＤRAM的典型例子 5.2 只读存储器（ROM） 5.2.1 只读存储器的结构、特点和分类 一 掩摸ROM 二 可编程ROM（PROM） 三 紫外线可编程ROM（EPROM） 四 电可擦除PROM（EEPROM） 5.2.2 只读存储器典型产品举例 5.3 存储器地址译码方式及译码电路的设计 5.3.1 全地址译码方式（全译码选择方式） 线选法 ５.3.2 部分地址译码方式和线选择方式 部分译码 5.3.3 存储器地址译码电路的设计 一、专用译码电路的地址译码器 E0000H～E1FFFH E2000H～E3FFFH E4000H～E5FFFH E6000H～E7FFFH E8000H～E9FFFH EA000H～EBFFFH EC000H～EDFFFH EE000H～EFFFFH *
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