第2讲晶体管放大的概念和基本性能指标共射放大电路.pptVIP

§1.3 晶体管（三极管、双极型管） 一、三极管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 晶体管内的电流分配关系 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 晶体管的三个工作区域 状态 UBE iC uCE 截止 ＜Uon ICEO VCC 放大 ≥ Uon βiB ≥ uBE 饱和 ≥ Uon ＜βiB ≤ uBE 四、温度对晶体管特性的影响 1.3.6光电三极管 §1.4 场效应管放大电路一、场效应管简介（以N沟道为例） 2、绝缘栅型场效应管 2、绝缘栅型场效应管 3、场效应管的分类 及工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 VMOS管（纵向沟道场效应管） 单结管和晶闸管 晶闸管的结构和特性曲线 晶闸管的特性 从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可 维持导通 1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流 ?两者缺一不可 从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可? 单结管（双基极二极管） 在电路中让基极2（b2）比基极l（b1）电位较正，图中电源电压VBB的正极接b2、负极接b1；发射极接触发电压VE。 使UJT处于截止区，从B1到B2仍有少量电流。沿着N型硅片存在着一个电压梯度VA。发射极电压VE等于启动或峰值电压VP(VP =VA+VD，VD为eb1之间的正向压降，一般约为0.6~0.7V。)，PN结是正偏置，单结晶体管导通。启动时，b1和E之间的电阻很快的降低，从b1到b2的电流增加，同时从E也有一个相当大的电流流出，使rb1为低阻态，管子也进入负阻区。VE低于低谷电压（VV）后，管子进入饱和区，使单结晶体管截止。发射极启动电压VP是由分压比η= rb1/rBB确定的。 * 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 共发射极电流放大系数 共基极电流放大系数 穿透电流 集电结反向电流 直流电流放大系数 交流电流放大系数 共基极交流电流放大系数 一般情况 β是常数吗？什么是理想三极管？什么情况下 ? 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 晶体管工作在放大状态时，输出回路电流 iC几乎仅仅决定于输入回路电流 iB；即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 硅管与锗管的主要区别 (3) 锗管的ICBO比硅管大 (1) 死区电压约为 硅管0.5 V 锗管0.1 V (2) 导通压降|uBE|约为 锗管0.3V 硅管0.7 V 1．对β的影响 2．对ICBO的影响 3．对UBE的影响 4．温度升高，管子的死区电压降低。约 为每升高1度下降2-2.5mV. 晶体管的主要电参数 1. 直流参数 (3) 集电极——基极间反向饱和电流ICBO (1) 共基极直流电流放大系数 (2) 共射极直流电流放大系数 (4) 集电极——发射极间反向饱和电流ICEO 2. 交流参数 (1) 共基极交流电流放大系数α β值与iC的关系曲线 (2) 共射极交流电流放大系数β iC O β 3. 极限参数 (4) 集电极最大允许电流ICM (1) 集电极开路时发射极——基极间反向击穿 电压U(BR)EBO (2) 发射极开路时集电极——基极间反向击穿 电压U(BR)EBO (3) 基极开路时集电极——发射极间反向击穿 电压U(BR)EBO 不安全区 iC uCE O U (BR)CEO ICM 安全区 (5) 集电极最大允许功率耗散PCM 晶体管的安全工作区 等功耗线PC=PCM =uCE×iC 思 考 题 2.如何用万用表判别晶体管的类型和电极？ 3. 晶体管能够放大的内部和外部条件各是什么？ 1. 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用？ 4. 晶体管工作在饱和区时，其电流放大系数是否与其工作在放大区时相同？ 场效应管有