半导体器件实验报告.doc

实验报告 实验名称 半导体器件课程设计 班 级 姓 名： 学 号： 实验日期： 实验地点： PMOS的制造流程 制作PMOS的主要流程为：衬底掺杂—〉栅氧化—〉离子注入—〉淀积多晶硅栅—〉多晶硅氧化—〉多晶掺杂—〉边墙氧化层淀积—〉边墙氧化层刻蚀形成氧化层—〉源漏注入—〉源漏退火—〉金属化—〉镜像生成PMOS结构。 实验程序和图形 进入模拟软件后，输入数据和程序 go athena # Non-Uniform Grid(0.6um x 0.8um) line x loc=0.00 spac=0.10 line x loc=0.20 spac=0.01 line x loc=0.60 spac=0.01 #line y loc=0.00 spac=0.008 line y loc=0.20 spac=0.01 line y loc=0.50 spac=0.05 line y loc=0.80 spac=0.15 # Initial Silicon Structure with 100 Orientation init silicon c.phosphor=1.0e14 orientation=100 two.d # Gate Oxidation diffus time=11 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=3 #extract name=Gateoxide thickness material=SiO~2 mat.occno=1 x.val=0.3 # Threshold Voltage Adjust implant implant phosphor dose=9.5e10 energy=10 crystal 此图为离子注入后杂质浓度在画线处注入的磷的浓度相对于器件的深度的分布 # Conformal Polysilicon Deposition deposit polysilicon thick=0.20 divisions=10 # Poly Definition etch polysilicon left p1.x=0.35 # Polysilicon Oxidation diffus time=3 temp=900 weto2 press=1.00 # Polysilicon Doping implant boron dose=3.0e13 energy=10 crystal # Spacer Oxide Deposition deposit oxide thick=0.12 divisions=10 # Spacer Oxide Etch etch oxide dry thick=0.12 # Soucer/Drain Implant implant bf2 dose=5.0e15 energy=24 tilt=0 rotation=0 crystal # Source/Drain Annealing method fermi diffus time=1 temp=900 nitro press=1.00 下图为源漏退火前后两图相叠加、对比的图形。 # Open Contact Window etch oxide left p1.x=0.20 # Aluminum Deposition deposit aluminum thick=0.03 divisions=2 # Etch Aluminum etch aluminum right p1.x=0.18 #extract name=pxj xj material=Silicon mat.occno=1 x.val=0.2 junc.occno=1 #extract name=p++ sheet res sheet.res material=Silicon mat.occno=1 \ x.val=0.05 region.occno=1 #extract name=ldd sheet res sheet.res material=Silicon mat.occno=1 \ x.val=0.3 region.occno=1 #extract name=1dvt 1dvt ptype qss=1e10 x.val=0.5 #struct mirror right #electrode name=source x=0.10 #electrode name=drain x=1.10 #electrode name=gate x=0.60 #electrode name=backside backside #struct outfile=pmos.st