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场助热电子发射显示器介质层的研究
ofE.——Beam DielectricThin
InvestigationEvaporated
FilmandTheir inFED
Application
王红光 刘逸忠 肖 田
Xiaotian
WanghongguangLiuyizhong
上海广电电子股份公司 平板显示技术研发中心
FPDRDcenterofSVAELECTRONCO,.LTD.
摘要:本文介绍了一种场助热电子发射阴极中鲍缘介质层的制作工艺。对五氧化二钽、三氧化二铝、二氧化铪
等介质进行了电子束蒸发镀膜实验,并对其电学性能进行了分析比较,在此基础上复合了Ta,Os-A120,一FIfO:等几种
介质结构,经过对复合结构的击穿场强、介电常数等电学性能的测试后确认获得了比较满意的结果。
关键词:场助熟电子发射显示器复合
Abstract:SeveralE-Beam dielectricthinfdmare inthis
work.’I砬05、J地03、I-If02
evaporated reported a陀evaporated
andtheirelectrical and arede-
electron-beam fdms
by pmportiesa糟analyzedcompared.Ta妇s—A1203-HfO,.composite
basedonthisresult.Electricalmeasurementof dielectric‰confirmedmuch overalldielec·
posited composite improved
tric
pmporties.
AssistHot-electron
Keywords:Field EmittingDisplay(FAHED)composite
一、序 言
数字技术的发展,高清晰度电视的需求,对显示器也提出了更高的要求,各种数字平板显示技术也应运
相比都有着独特的优点和应用、发展的巨大空间。近十余年,由于微细加工技术及薄膜生长技术的提高,加
缺点,由于FED依然采用高压荧光粉,拥有高亮度和丰富的彩色再现性,是其它显示器件难以达到的,因此
长期以来FED的研究开发一直没有停止过,在克服关键技术壁垒之后FED完全有理由成为新一代性能优
异的平板显示器的主流。
二、场助热电子发射的结构与工作原理
场助热电子发射(FAHED)是场致发射的一种,它与其他几 艇☆t电辍
种电子发射方式锥尖阵列(FEA)、表面传导(SCE)、碳纳米管 复台上电糖
电子传输篷
(CNT)等不同,属于薄膜内场致发射。FAHED是利用电子隧穿效
绝缘介璇磁
应来获得热电子并形成发射【n,图1系FAHED阴极基本结构图,
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