曝光工艺及设备技术.ppt

曝光工艺及设备技术 1、光刻工艺 1.3、光刻的缺点 光刻设备昂贵； 制造工艺成本很高； 材料浪费严重，且容易造成污染； 缺陷水平控制较难。 1.4、光刻中涉及到的设备及材料 1.5、各种光刻技术 1.5、各种光刻技术 1.5、各种光刻技术 1.5、各种光刻技术 1.6、PDP中的曝光工艺 2、感光材料 2.2、分类 2.3、感光材料的组成 3、光源 4、曝光机 4.3.13、Mark登录方法 本曝光机对位用Mark是玻璃基板的圆形和母版上设计的圆环Mark对位。如果要使曝光机的认识设备能识别Mark，首先要进行Mark的登录。 4.3.14、Gap测量原理图 量产线上一般都用母版清洗机，厂家与顾客独立设计。 母版制作时的修补阶段使用金属材料，因为金属易与酸发生反应化掉，清洗机上强酸性溶液不能使用，可以用3-5%弱碱冲一下，过一会再用纯水清洗，然后干燥。 Cr版：好用、不好保管、不好清洗 硬质，耐久性强，可以制作很细的图形，在XGA HD中Cr版有其优越性，尺寸大，Cr比Em版精度更高。NaOH清洗，IPA纸，3-5%。 EM版：纯水清洗时易把C冲掉，树脂涂在EM版上，干燥时可能有气泡。 ＵＶ灯开关 曝光量设定 4.3.11、控制面板 OK OK NG NG START Align.値 Measure Pos. Align.Pos. 认识开始 曝光开始 向Expos.Pos.移动时 X轴和Y轴不再改变 Z轴向Gap设定值前进 Gap 校正 Align.値 Align.修正 Gap测量 认识装置再测量 曝光量Ch选择由 「A、B、C、D」设定 移向Align.Pos.时 X轴和Y轴增加Offset设定的値 Z軸±0 4.3.12、、曝光作业动作程序 NO 2nd曝光 Align.Pos. X、Y方向错位 X轴和Y轴+2nd Shift set値 X,Y shift Expos. Pos. 曝光开始 向Align.Pos.移动 Z轴退到Align.位置为止 向Expos.Pos.移动 Z轴移动到Expos.停止 曝光量Ch选择 「A、B、C、D」设定 曝光结束 END 曝光量Ch同第一次的为同一设定值 开始位置移动 母版圆环Mark 玻璃基板Mark 结束位置移動 Mark登录选择框 Mark登录开始位置 ① Mark选择框的移动 ② Mark选择框的变形 正立Mark ③登录Mark和反转Mark的 确定 Mark选择框初始位置 Mark选择框終了位置 Mark登录结束位置 反转Mark 按照上述步骤进行Mark的输入，使曝光机的识别装置能识别输入的Mark，在自动运转时能进行识别、对位。 l 玻璃基板里面反射 玻璃基板表面反射 Mask里面反射 Mask表面反射 Laser Laser输出 Laser接受 Gap sensor Gap 测量窗口 Mask Panel 5、Photo-Mask 5.1、目的 控制光线进行选择性的曝光，需要留下的进行曝光，不需要留 下的进行遮光。 5.2、重要性 每一个产品都要用相同的Mask进行曝光，其质量对整个生产过 程起着至关重要的作用。 5.3、Mask的基材 5.3.1、Film Emulsion (菲林Ag版) 易受到环境温湿度的影响，发生较大的伸缩现象，起初PDP尺寸较小，精度不高时得到应用。 5.3.2、Glass Emulsion 在现在的XGA产品中用到，其热稳定性好，再加上在机器里对Mask进行控制，使得长时间使用温度不会发生变化。 5.3.3、Cr版 由于PDP厚膜工艺的缺陷，材料相对较粗燥，曝光工艺过程中，Mask容易被划伤，造成贵的Mask的浪费，为了增加强度出现了Cr版。 3.8、照度的测量 （2）、测量方法 把照度计的受光器放在光线直接照到的地方，照度计的测量档设在照度档上，能直接得到照度读数。 3.8、照度的测量 （3）、受光部 根据使用光线的波长不同，受光部的受光径也不同。365nm用的一般是1mm。 Φ=1mm 3.9、UV灯的效率和成本 25mW/cm2 35KW 240万JPY 20mW/cm2 25KW 140万JPY 14mW/cm2 16KW 9mW/cm2 10KW 70万JPY 5mW/cm2 8KW 成本 照度 Lamp 各种UV灯的价格 3.9、UV灯的效率和成本 65s 71s 71s 71s 65s 总时间 35s 35s 35s 35s 35s 设备本身 30s 8KW 150m