MAXIS ICP 機台介紹與異常處理.pptx

MAXIS ICP 機台介紹與異常處理MAXIS ICP 機台介紹與異常處理ICP製程原理簡介 System overviewTransfer moduleProcess moduleBas boxPower rackPump and local scrubber機台各按鍵功能保養SOP保養要項Parts clean注意事項Pump down and leak check簡易異常處理TMPMGas Pump and local scrubberOthersICP製程原理簡介Si與Al蝕刻主要分為非金屬及金屬蝕刻，非金屬蝕刻有a-Si/N + Si/SiNx蝕刻，可概括性的視為Si蝕刻，其蝕刻氣體可選用的有SF6及CFx系，一般在LCD製程中選用SF6 ，因為其解離之F radical較多，反應速率較快且製程較為潔淨，CFx系由於在反應過程中，容易有CH化合物產生較不被選用，但CFx系可通入O2由F/C ration及藉由O與C的結合，減少CFx與F的再結合增加F radidal來加快蝕刻效率，並可調整Oxide之選擇比，製程控制的彈性較SF6為高、金屬蝕刻以Al為主，一般採用Cl2作為蝕刻氣體，可得到等向的化性蝕刻效果，但由於蝕刻速率較慢未達量產水準，所以採用高密度電漿之ICP機台作為主要金屬蝕刻機台，而ICP輔以離子轟擊確實大幅的增加蝕刻速率。我們在Al蝕刻反應中加入BCl3氣體，由於BCl3分子量大，離子轟擊效果佳，且其對氧化層(Al2O3)的去除有良好的效果，再者可成為sidewall passivation ，可以增加蝕刻的非等向性，對於線寬(Line width)的控制有顯著的效果。但ICP在Al蝕刻有一個致命傷，由於加入離子轟擊的效果，使得Sputter效應非常明顯，加上反應副產物多為固態(AlCl3 ，NdF3等) ，使得反應副產物容易附著於腔體內，不易被Pump帶走，而這些殘留於腔體內的副產物常會剝落掉於晶片上造成金屬線的短路(Short)或異常的充放電(Extra charge) ，再者其保養週期短不只造成機台Up-time過低，PM所造成的人員負荷、耗材使用也需付出極大的成本下頁為Al蝕刻的示意圖。不管何種製程均會由被蝕刻膜層成分、結構及預計蝕刻完成的Profile ，上下膜層的蝕刻選擇比來選用蝕刻氣體，所得到的效益也不同，另外透過製程的配比(Recipe Tuning)相同的蝕刻氣體也會表現出不同的特性，使得製程工程師常需Modify其Recipe來符合我們要得到的蝕刻效果。ICP製程原理簡介System overviewSystem model : 300LCH System overviewTransfer Module Transfer arm assemblyWafer detectorSystem overviewProcess Module System overviewProcess Module System overviewProcess Module System overviewProcess Module System overviewGas Box System overviewPower Rack System overviewPump and Local scrubber 機台各按鍵功能RecipeData logProcessTransferServiceConfigMode機台各按鍵功能-Process機台各按鍵功能-Recipe點擊可檢查程式設定機台各按鍵功能-Data log設定搜尋日期機台各按鍵功能-TransferClamp up/downLift pin up/downWafer map 機台各按鍵功能-Service機台各按鍵功能-ServiceLeak check設定pump down時間Leak average ＜5mT機台各按鍵功能-Config機台各按鍵功能-Mode保養SOP保養步驟:Cycle purgeOpen chamber coverExhaust 抽廢氣10mins拆解parts清潔parts及放入烤箱烘烤10mins以上清潔process chamber清潔TM chamber安裝partsPM pump downLeak check (設定leak check start time)Leak check 5mT 以下release dummy run保養SOP注意事項清潔Clamp ring需留意刮傷安裝Lip seal後需將表面清潔乾淨若有安裝下Liner需留意上蓋蓋上是否會影響密合度簡易異常處理Transfer moduleTransfer timeoutCheck Extend/Home sensorAdjust d