第1+10章 二极管及其稳压电路.ppt

第1章作业 P67-P68：自测题1-5做在书本上。 P69: 习题1.1做在书本上。 P69: 习题1.2；1.3；1.4；1.6做在作业本上 P70-71：习题1.8；1.10；1.11；1.12；1.14；1.15做在作业本上 第10章作业 P566-567：自测题 做在书本上。 P568: 习题10.1-10.4 做在书本上。 P569-570：习题10.5；10.6；10.8；10.12；做在作业本上 * 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。 * 空穴比未加杂质时的数目变少了：掺杂浓度越高，正反电荷复合的机会越大；致使少子浓度越低。 * 多子浓度约等于掺杂原子的浓度，受温度影响小；少子是本证激发形成的，浓度虽低，但对温度敏感，影响半导体器件的性能。 * * 答案： 1、制成本征半导体是为了把自然界中的半导体材料进行提纯，然后人工掺杂，通过控制掺杂的浓度就可以控制半导体的导电性，以达到人们的需求。 2、为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 因为半导体器件都是杂质半导体,通常温度区间（包括常温值）下器件工作在杂质的强电离区,载流子浓度是恒定的,基本不受外界影响；如果温度太高,半导体载流子以本征电离为主,则载流子浓度随外界影响太大,半导体的特性就没了,像pn结的整流特性和单向导通性,同样场效应管也不可以正常工作,甚至如果温度太高,pn结会发生击穿! 多子是影响温度稳定性的主要因素，容易混淆，因为在一个半导体器件里多子也不确定是空穴还是电子。 3、为什么半导体器件有最高工作频率？ 因为半导体的主要组成单元是PN结，PN结的显著特征是单向导电性，因为PN结的反向截止区是由耗尽层变宽导致截止，而这个过程是需要一定的时间的，如果频率太高导致时间周期小于截止时间就可能造成半导体器件不能正常工作，所以半导体器件有最高工作频率的限制。 * * * * * * * * * * * 略讲！ P533-P534,例题！ * * VDZ R 使用稳压管需要注意的几个问题： UO IO + IZ IR UI + 　　1. 外加电源的正极接管子的 N 区，电源的负极接 P 区，保证管子工作在反向击穿区； RL 　　2. 稳压管应与负载电阻 RL 并联； 　　3. 必须限制流过稳压管的电流 IZ，不能超过规定值，以免因过热而烧毁管子。 [例2]：稳压二极管的应用 RL ui uO R DZ i iz iL UZ 稳压二极管技术数据为：稳压值UZ=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k?，输入电压ui=12V，限流电阻R=200 ?，求iZ。 若负载电阻变化范围为1.5 k?—4 k? ，是否还能稳压？ RL ui uO R DZ i iz iL UZ UZ=10V ui=12V R=200 ? Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k? (1.5 k? ~4 k?) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA） i= （ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） iZ = i - iL=10-5=5 （mA） RL=1.5 k? , iL=10/1.5=6.7（mA）, iZ =10-6.7=3.3（mA） RL=4 k? , iL=10/4=2.5（mA）, iZ =10-2.5=7.5（mA） iZ在12mA和2mA之间, 稳压管仍能起稳压作用。 第十章 直流电源 §10.1 直流电源的组成 §10.2 单相整流电路 §10.4 稳压管稳压电路 §10.3 滤波电路 §10.1 直流电源的组成 改变电压值通常为降压 交流变脉动的直流 减小脉动 1) 负载变化输出电压基本不变； 2) 电网电压变化输出电压基本不变。 直流电源是能量转换电路，将220V（或380V）50Hz的交流电转换为直流电。 半波整流 全波整流 在分析电源电路时要特别考虑的两个问题：允许电网电压波动±10％，且负载有一定的变化范围。 10.1直流电源的组成 §10.2 单相整流电路 一、对整流电路要研究的问题 二、单相半波整流电路 三、单相桥式整流电路 一、对整流电路要研究的问题 1. 电路的工作原理：即二极管工作状态、电路波形的分析 2. 输出电压和输出电流平均值：即输出脉动直流电压和电流平均值的求解方法 3. 整流二极管的选择：即二极管承受的最大整流平均电流和最高反向工作电压的分析 简单起见，设二极管为理想二极管，变压器内阻为0。 整流二极管的伏安特性： 实际特性 理想化特性 理想二极管的正