可控硅的反向恢复触发保护探讨.pdf

2008年第5期 华 中 电 力 第2l卷 可控硅的反向恢复触发保护探讨 汪道勇 ，胡宇洋 ，何 钢 ，刘 熙 3 (1．国网运行有限公司上海超高压管理处，上海 201402；2．国网运行有限公司宜昌超高压管理处湖北 宜昌 443002： 3．国网电力科学研究院华瑞防雷科技股份有限公司．湖北 武汉 4300741 摘要：可控硅是直流输电系统的核心元件，因此对可控硅保护的研究十分必要。可控硅在熄灭过程中，如果突然承受正向电 压，可能出现局部导通产生局部过热导致可控硅遭受破坏的情况。为避免这种情况的发生，设置Tg-向恢复触发保护，该功 能向可控硅发一触发脉冲使之均匀导通。对可控硅反向恢复期的情况进行了介绍，分析了现有反向恢复触发保护电路的工 作原理及存在的缺陷，并从如何改进保护动作的灵敏}生和可靠性方面提出了建议。 关键词 ：高压直流输电；可控硅 ；反 向恢复触发保护 ：TCU单元 中图分类号：TM77 文献标识码 ：A 文章编号：1006—6519(2008)05．0026—03 DiscussiononHVDCThyristorRecoveryProtectionandRPTest WANG Dao-yong，HU Yu—yang，HE Gang3，LIU Xi (1．StateGridOperationCompanyLimitedShnaghaiExtraHighVoltageAdministrativeBureau，Shnaghai201402， China；2．StateGridOperationCompnayLimitedYichnagExtraHighVoltageAdministrativeBureau,Yichnag 443002，China；3．StateGridElectricPowerResearchInstituteofSGCC,Wuhan430074，China) Abstract： ThyristoristhecoreelementofDC powertransmissionsystem．Theresearchonitsprotectionisvery importnat． Ifthethyristorwithstandsactivevoltagesuddenlyintheclosingprocess， partialoverheatwouldbe appearedbecauseofthepartialconductionandthethyristorwouldbedamaged．Inordertoavoidthisphenomenon， recoveryprotectionfiringisused． ThisfunctioncansendafiringimpulsetothethyristorandthethyristorCna be conducteduniformly In thu paper， thepositiverecovery timeisintroduced， Theworking theorynad the shortcomi ngofexistedrecovery protectionisanalyzed．Suggestionsraeproposedmodifythesensitivityandreliabiliyt oftheprotectionaction． Keywords：HVDCtransmi ssion；thyristor；recovery protectionfiring；TCUuni 护动作的有效性方面提出了建议。 O 引 言 1 可控硅反向恢复基本原理 可控硅是直流输 电系统的核心元件 ，用于实现 交流和直流的变换。可控硅的造价高昂，功能重要 ， 可控硅在关断过程中，电流从额定值降到零 因而对可控硅保护的研究十分必要。 后 ，才具备承受反向电压的能力 。由于可控硅节电 三常直流工程和三上直流工程均采用 YST90