多孔硅的半峰全宽小于3．8nm的针形发光峰.pdf

维普资讯 第21卷第 3期 长 沙 电 力 学 院 学 报 ( 自 然 科 学 版 ) Vo1．21 NO．3 2006年 8月 JOURNALOFCHANGSHAUNIVERSITYOFELECTRICPOWER(NATURALSCIENCE) Aug．2 0 0 6 多孔硅的半峰全宽小于3．8nm 的针形发光峰 廖家欣，任 鹏，史向华，刘小兵 (长沙理工大学 物理与电子科学系，湖南 长沙 410076) 摘 要 ：通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件，研究它的发光峰形状的变化．从实验上观测到多孔硅膜 的针形发光激发谱和发射光谱，其半峰全宽均小于3．8nm．声空化所引发的特殊物理、化学环境为制备高效发光的 多孔硅提供了一条重要途径．实验结果表明，声空化处理对于改善多孔硅的微结构，提高发光效率和发光稳定性都 是一项非常有效的技术． 关 键 词 ：多孔硅膜；超声波；光致发光 中图分类号：O471．1 文献标识码：A 文章编号：1006—7140(2006)03—0077—04 NeedlePL PeaksofPorousSiliconwithFⅥ删 LessThan3．8nlll LIAO Jia—xin，REN Peng，SHIXiang—hua，LIUXiao—bing (DepartmentofPhysicsandElcetronicScience，CImn~ImUniversityofScienceandTechnology，Chnagsha410076，China) Abstract：Thevariationofphotoluminescenceemission(PLE)andphotohminescence(PL)peak—shapeof poroussilicon(PS)filmwithhteelectrochemicalconditionstoformPSfilmhavebeeninvestigated．We haveobservedexperimentallyatfirstneedlePLEnadPLpeakswihtfullwidhtathalfina3dmum(FWHM) lesshtna 3．8nm．Thespecial physicochemical environmentcauesdsonic—vacatingprovidesna important outletofrhtepreparationofhishlyefficientluminescentPSfiml s．Experimentalresultsshow thatsonic— chemical treatmentisna effectivetechnologyofrhteimprovementofhtemicmstrucmreofPS ，nadhteh— minescentefficiencynadstabilityhtereof．LuminescentPSfiml s，preparedbyultrasonic—enhnacednaode electrochemi cal etching．displaybetterqualitieshtna htesamplespreparedbyconventional mehtods de— lyuesdatpreesnt．Th isultrasonic—chemical effectrootsinsonic—vacating，i．e．htegeneration ，formation nadrapidcollapes ofbubblesinhteetchingsolution． Keywords：poroussiliconfiml ；ultrasonic；photoh