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2018-01-04 发布于河北
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一种新型抗辐照SOI隔离结构.pdf

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一种新型抗辐照SOI隔离结构

维普资讯第 26卷第 7期半导体学报 Vo1．26 No．7 2005年 7月 CHINESEJ0URNAL OF SEMICONDUCTORS July，2005 A NovelRadiationTolerantSOIIsolation Structure Zha0H0ngchen，HaiCha0he，HanZhengsheng，QianHe，andSiH0ng (1InstituteofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences，Beijing 100029，China) (2CentralIronandSteelResearch Institute。Beijing 100081，China) Abstract：A novelradiationtolerantSOIisolationstructure，consistingofthinSiOz／polysilicon／fieldSiO2multilay ers，isproposed．A devicewiththisstructuredoesnotshow obviouschangesinsubthresholdcharacteristicsandleak agecurrent，indicatingasuperiorradiationtolerancetotraditionalLOCOS． Keywords：isolationstructure；radiationtolerance；SOI EEACC：2250R ；2560R CLC number：TN432 Documentcode：A ArticleID：0253-4177(2005)07—1291-04 inganegativesubstratebiasthatreducestheradia— 1 Introduction tioninducedpositivechargebuild—upattheB0X／ Siinterface．A deepB implantationcanalsobeused Silicon—on—insulator(SU1) devicesare attrac— to raise the back channelthreshold voltage[’ ． tiveelementsforhigh—performance，radiationhard— However，therestillremainsedge—channelconduc— ened，andCM 0S circuits．W hiledeviceisolation in tion，themostdifficultleakagetosuppress． SO1CMOS providescomplete immunity to latch—