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用Agilent B1500A 改进 闪存单元特性表征 Agilent 应用指南B1500-9 ● HV-SPGU 输出± 40V 三电平脉冲 ● 可在一小时内完成一百万次写入/擦除周期的 耐久性测试 ● 有20多种即装即用的闪存测试应用程序 ● 实现全新非易失存储器测试的ALWG 功能 引言 B1500A 闪存测试的主要 ● 高分辨率电压驱动能力 受MP3 音乐播放器和数码相机 特性 输出波形能以0.4 mV 分辨率编程， 从而为评估多电平闪存单元技术提 存储介质的推动，闪存市场在迅速 B1500A 闪存测试解决方案的主 供稳定而干净的脉冲波形。 成长，预期近期内将会取代较小的 要特性包括: 硬盘。这一增长势头要求通过减小 ● 可输出漏极开路状态的快速半导 存储器单元的面积来增加存储器容 ● 高压脉冲能力 体开关 量，比如多比特或多电平单元(MLC) HV-SPGU 可输出± 40V (80 Vpp) ，具 脉冲开关用于建立NOR 闪存单元擦 1 除周期所需要的漏极开路状态，它 及电荷陷阱式闪存。这些现代高密 有20 ns 至400 ms 的可编程上升沿/ 度NA ND 闪存制程的写入/擦除特性 下降沿时间，能够满足先进NAND 可在100 µs 内响应，从而减小整个 表征带来许多新的测量挑战，如产 闪存单元测试的需要(见图1)。 写入/擦除耐久性寿命测试所需要 生极精确的电压脉冲和建立任意波 的总测试时间。图2 是HV-SPGU输 形脉冲。 1. |Vamp |≤ 10 V 时，最小上升沿和下降沿时间为 出的简化原理图。 20 ns; 10 V |Vamp |≤ 20 V 时为30 ns; 这两种情况 均为50 Ω 负载。Vamp = 脉冲幅度。 Agilent B1500A 半导体器件分析 仪的Agilent B1525A 高压半导体脉冲 发生器单元( HV-S PGU) 提供这些先 进非易失存储器技术写入/擦除测 试所需要的精度和灵活性。此外， B1500A 和HV-SPGU还为写入/擦除周 期耐久性寿命测试提供显著的生产 率改进。这篇应用指南说明B1500A 如何应对所有这些挑战和要求。 图1. HV-SPGU 有± 40V 输出能力 图2. B1525A HV-SPGU 模块有两个通道, 输出路径上各有一个快速半导体开关 2 ● 三电平脉冲 HV-SPGU模块上有两个独立提供两 电平或三电平脉冲的SPGU通道(图 3)。NAND 闪存单元需要使用三电 平脉冲，模块能产生快脉冲链，而 不需要使用两个PGU通道，从而极 大改进了NAND 耐久性寿命测试的 产能。 ● 闪存测试应用程序库 EasyEXPERT存储器测试应用程序库 中包含20 种应用测试定义，可用 HV-SPGU 评估NOR和NAND 型闪存 单元，包括: 图3. HV-SPGU 可输出具有± 40V 摆幅的三电平脉冲 - 耐久性测试 - 擦除和Vth 测试 - 写入和Vth 测试 - 擦除后持久保存测试 - 写入后持久保存测试 - Vth 和擦除时间相关性 - Vth 和写入时间相关性 - 对被擦除单元的字线干扰测试 - 对被写入单元的字线干扰测试 - 擦除后的NOR 闪存数据干扰测试