LED晶粒制程.ppt

T 前工艺制程的制作方法 光刻 光刻 光刻 蚀刻 蚀刻 2、干法刻蚀与湿法刻蚀相比的优缺点： 优点： 1、干法刻蚀的剖面是各向异性的，具有好的侧壁控制； 2、干法刻蚀有最好的关键尺寸的控制； 3、干法刻蚀有最小的PR脱落和粘附问题； 4、好的片内、片间以及批次间的刻蚀均匀性； 5、较低的化学制品使用和处理费的问题； 缺点：干法刻蚀的设备比较昂贵 蚀刻 ICP—耦合式电浆化学蚀刻机 在高真空条件下（3-30m Torr）,由改变射频偏差使电子轰击程度 不同，电感耦合的射频作用在陶瓷盘上形成1011-1012ions/cm3的高 密度等离子体。 RIE—反应离子蚀刻机 蚀刻速率约5微米/分钟，剖面由聚合物气体控制。 ITO PN Pad SiO2 检测内容： 1、外观 和 数量 检查外观是否完好，数量与标签上是否一致。 2、芯片的光、电性参数 研磨、抛光、切割 正切(JPSA) 正切一般用波长为266nm的光线,因为正切有可能会损伤到芯 片的电极,所以用正切时要上保护胶。 正切的作业流程 ：粘片→上胶→吹干（离子风） →划片→清洗→吹干（氮气） →裂片 研磨、抛光、切割 背切(New wave) 背切一般用波长为305nm,355nm,405nm合成的光线,因为 背切不会对芯片的电极有损伤,所以切割时不用上保护胶。 背切的作业流程 ：粘片→划片→裂片 Sapphire n-GaN p-GaN Diamond Cutter Blue Tape 背切示意图 目检 用显微镜观察，将外观不良的芯片去掉。 经过研磨切割后，芯片有可能出现的问题包括：双胞胎、解理片、崩裂不良、双切割痕、污染等。所以在研切出站时会有一道目检工序。它会有自身的外观检验标准。 发光区划伤 切割不良 双胞胎 背铝脱落 Pad 污染 Pad 划伤 发光区污染 点测(1000点) 针对于大圆片，点测工序采用点测1000点的方式。测试chip 的各个电性参数和光学参数。点测后直接进入目检标签工序。 使用的仪器：点测机（测电性参数和光学参数) 点测机包括： Prober(探针台) Tester（测试软体） ESD测试 点测(全点测) 针对于正规片。量测每颗晶粒的光电特性（Vf、Iv、Wd、Ir…）, 同时把测试结果套入后续分类之Bin表。点测后进入分选工序。 使用的仪器：点测机（测电性参数和光学参数) 点测机包括： Prober(探针台) Tester（测试软体） ESD测试 分选 正规片需要的流程。将不同电性规格的晶粒按照BIN表别挑出，集中在同一个Bin Table内的蓝膜上。 BIN表:BIN表是一种程序，可以用excel表格编辑，转成 “.csv”文件执行。它是用来将晶粒根据不同的电 性进行分类的依据。 分选 PP Arm Bin Table Wafer Table 顶出机构 视觉检测模组 分选机—威控（ wencon ） 分选机性能的 重要指标： 挑拣率 (芯片颗数的 99.5%-99.7%) 错Bin率 (0.05%) 分选机可以设定BIN TABLE的数量和每个BIN TABLE 上所承载的晶粒的颗数。 目检、标签 1、目检(显微镜) 分选过后，进入目检工序。此时目检有其自身的目检规范。 针对于客户的要求，需要从“数量、晶粒的排列（位移和扭 转及是否连续空洞）、电极是否有刮伤或掉落、保护层是 否脱落、点测的针痕是否过大以及是否有污染等”各个方面 来进行检查。 出现任何不合格的问题都应该及时解决。 2、标签(打标机) 按照Bin表打印标签。标签上应该包括：公司的图标；Bin NO； Lot NO；主要的光电性参数【Vf(V) 、Iv(mcd) 、 Wd(nm) 、 Ir(uA)】；数量等。 目检、标签 晶粒在工艺制程中会受到各种“伤害”，所以就可能出现 存在这样的那样的问题晶粒。任何的不良都可能影响到 产品的质量。所以后工艺制程中涉及到了多次目检。虽 然每道工序目检的重点和规范都不一样，但是在工艺的 过程中，不管在做哪段工序时发现了不合格的晶粒，都 应该及时的去掉。这样不仅省去了该chip进行下段工序 的麻烦，更重要的是保证了产品出厂时的质量。 后工艺制程后进入出厂前的最后一道工序--FQC FQC（Finally Quality Control） Vf ＠20mA Iv ＠20mA Wd ＠20mA ESD HBM ＠ 500V MM ＠ 1000V Ir