基材简介.ppt

1. 按制作工艺可分为： 1.1 电解铜箔（Electrodeposited copper foil ） 利用各种废弃之电线电缆熔解成硫酸铜镀液，在殊特深入地下的大型镀槽中，阴阳极距非常短,以非常高的速度冲动镀液，以600ASF之高电流密度，将柱状 (Columnar) 结晶的铜层镀在表面非常光滑又经钝化的不锈钢大桶状之转胴轮上(Drum)，因钝化处理过的不锈钢胴轮上对铜层之附着力并不好，故镀面可自转轮上撕下，如此所镀得的连续铜层,可由转轮速度，电流密度而得不同厚度之铜箔，贴在转胴之光滑铜箔表面称为光面(Drum side), 另一面对镀液之粗糙结晶表面称为毛面 (Matte side)。析出之铜箔再经瘤化处理（增加表面积），耐热层处理（隔绝胺类引发之爆板）及抗氧化处理（防锈防污）即制成商品化之电解铜箔。 1.2 压延铜箔（rolled-wrought copper foil）： 先由铜矿石提炼出粗铜。然后经过熔炼加工、电解提纯使它的纯度达到99.9%。并制成约2mm厚的铜锭。以它作为母材，再经酸洗、去油，反复多次在800℃以上高温度下进行热辊轧、压延（长方向的）加工。AN-W 型压延铜箔在此加工之后，进行高温退火，达到再结晶软化，再进行冷压延。如此加工反复进行至到其要求的厚度。而LTA-W型压延铜箔在高温辊压、压延加工之后，只进行冷压延加工。当以上两类压延铜箔制成为厚度小于0.1mm的生箔后，再在它的表面进行粗化处理、耐热层处理、防氧化处理等一系列的表面处理。 1.3 IPC对铜箔的定义： 按 IPC-CF-150 將銅箔分為兩個類型，TYPE E 表電鍍銅箔，TYPE W 表輾軋銅箔,再將之分成八個等級，class 1 到 class 4 是電鍍銅箔，class 5 到 class 8 是輾軋銅箔。現將其型級及代號分列於下表： 1.4 电解铜箔 VS 压延铜箔： 电解铜箔： 優點：價格便宜；可有各種尺寸與厚度； 缺點：延展性差； 應力極高無法撓曲又很容易折斷； 壓延铜箔： 優點：延展性Ductility高，對FPC使用於動態環境下，信賴度極佳； 低的表面稜線Low-profile Surface，對於一些Microwave電子應用是很有利； 缺點：和基材的附著力不好； 成本較高； 因技術問題,寬度受限。 2.1 高温延伸性铜箔（HTE：High temperature elongation electrodeposited）; 多层印制电路板在压合时的热量会使铜箔发生再结晶现象，故需铜箔在高温（180℃）下仍保持常温时的稳定性。其特点主要表现在：尺寸稳定性，高柔韧性，多用于FR-4材质的多层板中。 2.2 反面处理铜箔（RTF：Reverse treated copper foil） 基板铜箔之光面朝内毛面朝外，其意义主要有： 改善良品率： 减少短路：由于其黏着表面菱线非常低，蚀刻时不会有残铜发生； 减少断路：由于干膜可以黏着的相当强固，所以断路之缺陷可以减至最低； 缩短制程： 速度提升：蚀刻速度较快，棕黑化处理较迅速； 无需微蚀； 线路可靠性： 线间及层间具有较好的绝缘功能； 具有高的蚀刻因子； 蚀刻因子（ Etch Factor ）： 蚀铜除了要做正面向下的溶蚀之外，蚀液也会攻击线路两侧无保护的铜面，称之为侧蚀(undercut)，因而造成如香菇般的蚀刻缺陷， Etch Factor即为蚀刻品质的一种指针。 Etch Factor一词在美国(以 IPC 为主)的说法与欧洲的解释恰好相反。美国人的说法是正蚀深度与侧蚀凹度之比值，故知就美国人的说法是蚀刻因子越大品质越好；欧洲的定义恰好相反，其因子却是愈小愈好。很容易弄错。不过多年以来， IPC在电路板学术活动及出版物上的成就，早已在全世界业界稳占首要地位，故其阐述之定义堪称已成标准本，无人能所取代。 2.3 双面处理铜箔（DST：double-side treatment copper foil） 两面处理(Double treatment)指光面及粗面皆做粗化处理，严格来说，此法的应用己有20年的历史，但今日为降低多层板的COST而使用者渐多．在光面也进行上述的传统处理方式，如此应用于内层基板上，可以省掉压膜前的铜面理处理以及黑/棕化步骤。美国一家Polyclad铜箔基板公司，发展出来的一种处理方式，称为DST 铜箔，其处理方式有异曲同工之妙。该法是在光面做粗化处理，该面就压在胶片上，所做成基板的铜面为粗面，因此对后制亦有帮助。 2.4 超低菱线铜箔（VLP：Very low profile copper foil） 硅化处理(Low profile) 传统铜箔粗面处理其Tooth Profile (棱线)粗糙度(波峰波谷)，不利于细线路的制造(影响just et