模拟电子电路第5章内容课件.pptVIP

G S D 增强型 P N N G S D N沟道增强型MOS管的符号 0 ID UGS VT N沟道增强型MOS管的特性曲线 转移特性曲线： G S D 开启电压 P N N G S D 予埋了导电沟道 N沟道耗尽型MOS管的符号 G S D 耗尽型 N沟道耗尽型MOS管的工作原理 P N N G S D UDD UGS UGS=0时 感应出电子 SiO2绝缘层中掺有大量正离子，这样当VGS=0时,在正离子的作用下，P型衬底上感应出电子,形成N沟道。 N沟道耗尽型MOS管的工作原理 P N N G S D UDD UGS UGS0时 感应出电子 当VGS0时，在沟道中感应出更多的负电荷，在VDS的作用下ID更大。 N沟道耗尽型MOS管的工作原理 VGS0时,沟道感应电荷↓，ID↓；当VGS小到一定值时（负值），反型层被“耗尽” ，导电沟道消失。（此时的VGS=VP，与JFET类似）。 P N N G S D UDD UGS UGS0时 感应出电子 耗尽型MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 0 ID UGS VP N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 转移特性曲线： G S D 耗尽型 G S D 耗尽型与增强型MOS管的比较 G S D 增强型 MOS管的主要参数 MOS管的主要参数与JFET基本相同。只是在增强型中不用夹断电压VP，而用开启电压VT，而耗尽型用夹断电压VP。 参见：P208_209 场效应管小结 MOS管的比较 MOS管的比较 习题： P249 5.1.2 课 外 作 业 5.2 场效应管放大电路 5 场效应管放大电路 Tan Yueheng Department of P.E.I.S 模拟电子技术 5 场效应管放大电路 教 学 要 求 1、理解场效应管的结构特点 2、理解场效应管的工作原理 3、掌握场效应管的特性与工作状态 4、理解场效应管的模型 5、掌握场效应管放大电路的分析方法 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 场效应管是一种利用电场效应(电压)来控制其导通电流大小的半导体器件。 场 效 应 管 场效应管不仅体积小、重量轻、耗电省、寿命长，而且还有输入阻抗高、噪声低、温度稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单等特点。 场 效 应 管 场效应管与双极型晶体管不同，它是电压控制型器件，只依靠一种载流子导电（电子或空穴），又称单极型晶体管。 5.3 结型场效应管(JFET) 5 场效应管放大电路 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P+区 G(栅极) S(源极) D(漏极) 结型场效应管（JFET） 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S JFET管的类型和符号 P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S JFET管的类型和符号 UGS N沟道结型管的工作原理 N G S D UDS N N P P PN结反偏，且UGS越负，导电沟道越窄，电阻越大。 N G S D UDS N N P P P P UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，漏极电流ID=0。 ID N沟道结型管的特性曲线 输出特性曲线： ID U DS 0 UGS=0V -1V -3V -4V -5V 三个工作区 可变电阻区 截止区 饱和区 恒流区 放大区 N沟道结型管的特性曲线 N沟道结型管的特性曲线 转移特性曲线： UGS 0 ID IDSS VP 夹断电压 饱和漏极电流 N沟道结型管的特性曲线 转移特性曲线： N沟道结型管的特性曲线 输出特性曲线到转移特性曲线的转换： P沟道结型场效应管 P G S D UDS UGS N N N N ID P沟道结型场效应管 转移特性曲线： ID P沟道结型场效应管 ID 输出特性曲线： ① 夹断电压VP ： 漏极电流约为零时的VGS值 。 ② 饱和漏极电流IDSS： VGS=0时对应的漏极电流。 主 要 参 数 主 要 参 数 ③ 低频跨导gm： 反映vGS对iD的控制作用。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS ④ 输出电阻rd： 主 要 参 数 ⑤ 直流输入电阻RGS： RGS约大于107Ω 习题： P251 5.3.3