功能高分子POSS.ppt

生如夏花 适用于艺术类、家庭类用途 Heeger等人报到了在合成半导体高分子过程中合成一部分POSS到共轭聚合物的实验，相相对于类似的本系聚合物，这种固定型POSS半导体聚合物展现出更高的明亮度和表面的量子效率。 Shim和等人制备了被取代的聚芴高分子聚合物并发现合成POSS单元会抑制链之间的相互作用和芴酮形成。 我们小组报道了以POSS为根基材料的蓝光电致发光NP，具有八咔唑发色团,这是通过用八倍半硅氧烷氢化硅烷化终端烯烃来合成。POSS-C11-Cz的光学及光激发光谱(PL)在溶解状态和固态显示了聚集水平和激态原子形成的降低。 5.1 POSS合成的高分子发光二级管高分子混合物 5.2 液晶聚合物合成POSS的高分子混合物 以发展不同结构状况的纳米复合材料为目的,Laine等人用附加中发型的基团到立方倍半硅氧烷核心，通过烯丙氧基职能化中发型材料与Q8M8进行氢化硅烷化来合成高分子液晶材料。 Chujo等人报道了POSS大分子单体的制备，通过自由基共聚合和LC混合共聚物的合成集多种多样的LC单体，混合聚合物热稳定性的增长是在增加POSS比例基础上获得的。 Wu和等人报道了POSS单元在甲基丙烯酸酯为基体的合成用化学方式来放大光致抗蚀剂进而影响他们电子反应离子蚀刻行为 Gonsalves等人以一系列的POSS包含阳性色调光致抗蚀剂为特征，用于极端的紫外光蚀刻法(EUVL)和电子束光刻技术。 这些光致抗蚀剂系统表现出提高蚀刻电阻和灵敏度的理想性组合系统，并且用来满足低电压和高电压的模式的应用。 5.3 POSS包含的光致抗蚀剂光刻的应用 我们团队开发出了甲基丙烯酸酯基体的POSS包含衍生物的光致抗蚀剂材料，来紫外光刻技术提高敏感度，高对比度及提高分辨率，利用的是POSS中硅氧烷单元和甲基丙烯酸酯基体聚合物中羟基集团（图.41）的氢键作用。 因此，POSS单元的存在在阴性类型的光致抗蚀剂的性能方面有影响。强大的氢键相互作用牵引着甲基丙烯酸酯双键朝着POSS移动，结果形成了更高的这些甲基丙烯酸酯烯键的浓聚物并围绕在POSS单元，从而，通过光聚合增强了化学交联速率（图.42） 5.4 低K电介质POSS包含材料的应用 Seckin等人研究星形的PIs与OAM-POSS通过原位固化聚丙烯酸大分子进行合并。 POSS和基体的羟基集团之间的氢键相互作用来得到同类的纳米复合材料，在此材料中，POSS不仅可以作为低K的电介质材料也可以对提高材料热性能和机械性能起到作用。 Xu等人通过带有的二烯烃的H8-POSS进行氢化硅烷化制备了四种异常的有机/无机网络混合物。 Liu 等人利用一种旋压过程从两种液态单体中制备了极端低k（k=1.47）的POSS纳米复合材料； 5.5 POSS包含嵌段共聚物材料的自组装行为 Pyun和Matyjaszewski等人利用原子转移自由基聚合（ATRP）从环戊基取代的POSS单体中合成了一种MA-POSS的均聚物和嵌段共聚物（图.43） 。 Liu等人也通过ATRP反应利用POSS/PMMA-Cl作为大分子引发剂制备了一种基于POSS的界限清楚的双嵌段共聚物；他们基于POSS的AB型双嵌段共聚物形成了蝌蚪状结构，带有POSS单元无机的端头和聚合物有机的端尾。 Lee等人利用氢化硅烷化来制备一种有机/无机SBS接枝的POSS型三嵌段共聚物。他们的POSS衍生物被设计成可以包含单硅烷功能基团，为了在PB的软区域中接枝到1,2-丁二烯单元上面。因为POSS是被分散成原子尺寸，随着POSS含量的增长，SBS共聚物逐渐的失去了它长程有序性。 我们团队已经对通过氢键的相互作用，在增加OP-POSS含量的基础上，多种不互溶的PCL-b-P4VP双嵌段共聚物的自组装行为进行了报道。透射电镜（TEM）图像说明了例如圆柱体，球体结构在低OP-POSS含量的条件下为长程有序形态，但在较高的OP-POSS含量的条件下转变为短程有序甚至无序的结构状态。 图.46展现了在OP-POSS含量的增加基础上的形态学上的转变 图.47 (PS-b-PVPh)8-POSS的合成路线 5.6带有POSS包含材料的纳米颗粒 5.6.1 POSS改性的粘土纳米复合材料 POSS派生物包含氨基功能基团可以用作表面活性剂来处理粘土；所以提高合成好的纳米复合材料的热稳定性是可以预期的。如图.48，当POSS表面活性剂被插入到粘土通道之间时，从原来1.26nm到1.61nm空间d范围的增长说明了POSS表面活性剂确实被插入到粘土的通道里。这种插层型的POSS表面活性剂粘土复合材料展现了只有单一的POSS的衍射峰，而没有POSS的聚集峰。 Zheng等人制备了OAPS-POSS氯化铵盐作为插层物质来改性蒙脱土（MMT）。X射线衍射显示了OAPS-POS