微机原理及应用--第2章2011.ppt

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微机原理及应用--第2章2011

⒉ 掉电保护方式 ⑶ 掉电保护状态退出 ⑴ 掉电保护方式状态 ●片内振荡器停振,所有功能部件停止工作; ●片内RAM数据信息保存不变; ● ALE、PSEN为低电平; ● Vcc可降至2V,但不能真正掉电。 ⑵ 掉电保护状态进入 只要使PCON中PD位置1。 唯一方法是硬件复位,复位后片内RAM数据不变,特殊功能寄存器内容按复位状态初始化。 * 第2章 80C51单片机内部结构 80C51系列单片机内部结构 外部引脚功能 存储空间配置和功能 片内RAM结构和功能 特殊功能寄存器的用途和功能 程序计数器PC的作用和基本工作方式 I/O端口结构、工作原理及功能 时钟和时序 复位电路、复位条件和复位后状态 低功耗工作方式的作用和进入退出的方法 本章要点 §2-1 内部结构和引脚功能 一、内部结构 内部结构组成为: 1、一个8位CPU(微处理器) 2、256B的内部数据存储器(RAM) 3、4KB的内部程序存储器 4、4个并行8位I/O端口。 5、1个全双工的异步串行口 6、2个16位的定时器/计数器 7、中断系统 8、特殊功能寄存器(SFR) 二、引脚功能 80C51系列单片机为双列直插式芯片,具有40根引脚。按功能不同可分为4类:电源、时钟、控制和I/O引脚。 ⒈ 电源: ⑴ VCC - 芯片电源,接+5V; ⑵ VSS - 接地端; ⒉ 时钟:XTAL1、XTAL2 - 晶体振荡电路反相输入端和输出端。 ⒊ 控制线:控制线共有4根, ⑴ ALE/PROG:地址锁存允许/片内EPROM编程脉冲 ① ALE功能:用来锁存P0口送出的低8位地址 ② PROG功能:片内有EPROM的芯片,在EPROM编程期间,此引脚输入编程脉冲。 ⑵ PSEN:外ROM读选通信号。 ⑶ RST/VPD:复位/备用电源。 ① RST(Reset)功能:复位信号输入端。 ② VPD功能:在Vcc掉电情况下,接备用电源。 ⑷ EA/Vpp:内外ROM选择/片内EPROM编程电源。 ① EA功能:内外ROM选择端。 ② Vpp功能:片内有EPROM的芯片,在EPROM编程期间,施加编程电源Vpp。 ⒋ I/O线 80C51共有4个8位并行I/O端口:P0、P1、P2、P3口,共32个引脚。P3口还具有第二功能,用于特殊信号输入输出和控制信号(属控制总线)。 P3.0 —— RXD:串行口输入端; P3.1 —— TXD:串行口输出端; P3.2 —— INT0:外部中断0请求输入端; P3.3 —— INT1:外部中断1请求输入端; P3.4 —— T0:定时/计数器0外部信号输入端; P3.5 —— T1:定时/计数器1外部信号输入端; P3.6 —— WR:外RAM写选通信号输出端; P3.7 —— RD:外RAM读选通信号输出端。 §2-2 存储空间配置和功能 80C51的存储器组织结构可以分为三个不同的存储空间,分别是: ⑴ 64KB程序存储器(ROM),包括片内ROM和片外ROM; ⑶ 256B内部数据存储器(内RAM) (包括特殊功能寄存器) 。 ⑵ 64KB外部数据存储器(外RAM); 80C51存储空间配置图 一、程序存储器(ROM) 地址范围:0000H~FFFFH,共64KB。 其中: 低段4KB:0000H~0FFFH 80C51和87C51在片内,80C31在片外。 高段60KB:1000H~FFFFH,在片外。 读ROM用MOVC指令,控制信号是PSEN和EA。 二、外部数据存储器(外RAM) 地址范围:0000H~FFFFH 共64KB。 读写外RAM用MOVX指令, 控制信号是P3口中的RD和WR。 三、内部数据存储器(内RAM) 从广义上讲,80C51内RAM(128B)和特殊功能寄存器(128B)均属于片内RAM空间,读写指令均用MOV指令。但为加以区别,内RAM通常指00H~7FH的低128B空间。 80C51内RAM又分成三个物理空间:工作寄存器区、位寻址区和数据缓冲区。 地址区域 功能名称 00H ~ 1FH 00H~07H 工作寄存器区 0区 08H~0FH 1区 10H~17H 2区 18H~1FH 3区 20H~2FH 位寻址区 30H~7FH 数据缓冲区 作用: ⒈ 工作寄存器区 工作寄存器区分为4个区:0区、1

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