DSP开发技术实验复习.doc

3.1.2 file #include stdio.h FILE *fptr; void main() { printf(Hello World!\n); fptr = fopen(myfile.txt, wb+); if(fptr==NULL) { puts(error); } fprintf(fptr,Hello, world); fclose(fptr); } 3.1.3 addasm ; ADD 简单程序的汇编实现 .file addasm.asm .mmregs .global _aadasm .text _aadasm: LD #10,A ;10-A ld #2,B add A,B loop: nop nop nop b loop .end 3.1.4 CandASM /* ADD 简单程序的实现 */ #include csl.h int add; void main() { add=cadd(10,20); aadasm(); for(;;); } int cadd(int a,int b) { int result; result=a+b; return result; } 3.2.2 片上存储器实验——DARAM 读写实验 TMS320VC5416 的片上 DARAM 大小为 64K×16-bit(64K bytes)。DARAM 在一个机器 周期内能被访问两次，因此 DARAM 提高了系统的性能。DARAM 由 8 块 8K×16-bit 模块组 成（见下图）。每个模块在一个周期内能够执行两次读取或一次读取一次写入或两次写入。 4 块 DARAM 位于数据空间 000080h－007FFFh 的地址范围内；其余四块 DARAM 位于程 序空间的 18000H-1FFFFH 的地址范围内，这四块 DARAM 通过控制 PMST 寄存器的 DROM 位可映射到数据空间。 3.2.3 SRAM 测试实验 SRAM 地址分配 SEED-DEC5416 模板上还外扩了 SRAM（基本配置为 64K x 16 位，最大可配 512K x 16 位）。片外扩展的 SRAM 具体映射则由 SEED-DEC5416 模板上扩展的寄存器 memcntl 控制。memcntl 位于’VC5416 的 I/O 空间，其地址为 0x0000；其控制位定义如下： D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Boot MMAP1 MMAP0 DPA19 DPA18 DPA17 DPA16 DPA15 Boot： 上电自举控制位，’VC5416 数据空间高 32K 控制权的选择 复位值为 0 0 数据空间高 32K 由’VC5416 的 MP/MC 引脚状态决定 MP/MC = 0：外扩的 FLASH 占用数据空间的高 32K MP/MC = 1：外扩的 SRAM 占用数据空间的高 32K 1 数据空间高 32K 由 MMAP[1:0]控制位决定 MMAP[1:0]： ‘VC5416 数据空间高 32K 映射选择 复位值为 00B 00 外扩的 SRAM 占用数据空间的高 32K 01 外扩的 FLASH 占用数据空间的高 32K 10 扩展总线的 CE0 空间占用数据空间的高 32K 11 保留 DPA[19:15]： ‘VC5416 数据空间的高 32K 扩展至 1M 的页地址 复位值为 00000B Boot = 0 时，储存空间根据 MP/MC 引脚状态自动配置 MP/MC 引脚状态 = 0： 外扩的 SRAM 占用程序空间的 16～31 页 MP/MC 引脚状态 = 1： 外扩的 SRAM 占用数据空间的高 32K，页地址由 DPA[19:15]给出； Boot =1 时，存储空间的映射由 MMAP[1:0]控制位决定，与 MP/MC 引脚状态无关 MMAP[1:0] = 00B： 外扩的 SRAM 占用数据空间的高 32K，页地址由 DPA[19:15]给出； 外扩的FLASH 占用程序空间的0～15 页 MMAP[1:0] = 01B： 外扩的 SRAM 占用程序空间的 16～31 页； 外扩的FLASH 占用数据空间的高32K，页地址由 DPA[19:15]给出 MMAP[1:0] = 10B： 外扩的 SRAM 占用程序空间的 16～31 页； 外扩的FLASH 占用程序空间的0～15 页 数据空间分配 BOOT=1，DROM=0，MMAP[1:0