郭天祥arm第4讲.ppt

 一、AD温度采集显示 1、A/D 转换器 A/D 转换器是模拟信号源和CPU 之间联系的接口，它的任务是将连续变化的模拟信号转换为数字信号，以便计算机和数字系统进行处理、存储、控制和显示。在工业控制和数据采集及许多其他领域中，A/D 转换是不可缺少的。A/D 转换器有以下类型：逐位比较型、积分型、计数型、并行比较型、电压－频率型，主要应根据使用场合的具体要求，按照转换速度、精度、价格、功能以及接口条件等因素来决定选择何种类型。常用的有以下两种： 2）精度(Accuracy) 精度有绝对精度(Absolute Accuracy)和相对精度(Relative Accuracy) 两种表示方法。 3）转换时间(Conversion Time) 转换时间是指完成一次A/D 转换所需的时间，即由发出启动转换命令信号到转换结束信号开始有效的时间间隔。 转换时间的倒数称为转换速率。例如AD570 的转换时间为25us，其转换速率为40KHz。 4）电源灵敏度(power supply sensitivity) 电源灵敏度是指A/D 转换芯片的供电电源的电压发生变化时，产生的转换误差。一般用电源电压变化1％时相当的模拟量变化的百分数来表示。 S3C440BX 芯片自带一个８路10 位A/D 转换器，该转换器可以通过软件设置为Sleep 摸式，可以节电减少功率损失，最大转换率为500K，非线性度为正负１位.ARM 芯片与A/D 功能有关的引脚为以下几个，其中AIN[7:0]为8 路模拟采集通道，AREFT 为参考正电压，AREFB 为参考负电压，AVCOM 为模拟共电压。 学ARM和学单片机一样简单 三、NAND flash 读写 NAND FLASH存储器件有非易失、容量大、功耗低、易擦除等特点，这里就涉及到FLASH的种类问题，NORFLASH和NANDFLASH区别在于：NOR的特点是芯片内执行，即应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。但是工艺复杂，价格比较贵。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍。 学ARM和学单片机一样简单 ? FLASH内存有8位和16位两种组织形式，其I/O接口可用于控制命令和地址的输入，也可用于数据的输入输出。其有如下特性：出厂时或者使用过程中容易出现坏块；操作方式按页写按块擦除；写操作只能在空或者已擦除的单元进行；块的擦除寿命有次数限制；块擦除时间与页读时间相比十分长。 学ARM和学单片机一样简单 主讲：冯 坤 出品：天祥电子 网址： 学ARM和学单片机一样简单 一、AD温度采集显示 二、音频接口 三、NAND flash 读写 学ARM和学单片机一样简单 第四讲： 学ARM和学单片机一样简单 学ARM和学单片机一样简单 1）双积分型的A/D 转换器 双积分式也称二重积分式，其实质是测量和比较两个积分的时间，一个是对模拟输入电压积分的时间T0，此时间往往是固定的；另一个是以充电后的电压为初值，对参考电源Vref反向积分，积分电容被放电至零所需的时间T1。模拟输入电压Vi 与参考电压VRef 之比，等于上述两个时间之比。由于VRef 、T0 固定，而放电时间T1 可以测出，因而可计算出模拟输入电压的大小(VRef 与Vi 符号相反)。由于T0、VRef 为已知的固定常数，因此反向积分时间T1 与输入模拟电压Vi 在T0 时间内的平均值成正比。输入电压Vi 愈高，VA 愈大，T1 就愈长。在T1 开始时刻，控制逻辑同时打开计数器的控制门开始计数，直到积分器恢复到零电平时，计数停止。则计数器所计出的数字即正比于输入电压Vi 在T0 时间内的平均值，于是完成了一次A/D 转换。 学ARM和学单片机一样简单 1）双积分型的A/D 转换器 由于双积分型A/D 转换是测量输入电压Vi 在T。时间内的平均值，所以对常态干扰(串模干扰)有很强的抑制作用，尤其对正负波形对称的干扰信号，抑制效果更好。 双积分型的A/D 转换器电路简单，抗干扰能力强，精度高，这是突出的优点。但转换速度比较慢，常用的A/D 转换芯