电力电子技术基础-华南理工大学：12-驱动.pptVIP

* Fundamentals of Power Electronics Technology 电力电子技术基础 South China University of Technology 第二部分 电力电子器件 6 South China University of Technology 第四章 电力电子器件的驱动和保护 4.2 GTO的驱动电路 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO的驱动电路的要求 电力电子技术基础 GTO属于电流驱动型器件 脉冲前沿的陡度 脉冲的宽度 脉冲的幅值 脉冲后沿的陡度 要求：脉冲的前沿越陡越有利； 而后沿应平缓一些。 正脉冲的后沿太陡会产生负尖峰； 负脉冲的后沿太陡会产生正尖峰； ＝＝＝＝》误触发 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO的触发方式 电力电子技术基础 直流触发 1 连续脉冲触发 2 单脉冲触发 3 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO驱动电路（恒压源关断） 电力电子技术基础 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 电力电子技术基础 ——GTO驱动电路（变压源关断） 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 电力电子技术基础 ——GTO驱动电路（脉冲变压器关断） 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO的直接驱动电路 电力电子技术基础 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——倍压整流电路简介 电力电子技术基础 倍压整流电路由电源变压器、整流二极管、倍压电容和负载电阻组成。它可以输出高于变压器次级电压二倍、 三倍或n倍的电压，一般用于高电压、小电流的场合。 4.3 GTR的驱动电路 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTR的驱动电路 电力电子技术基础 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——集成驱动电路 电力电子技术基础 ★ EXB356：150A/600V；IBP=+3A/-3.4A、 IIN= 3~9mA EXB356 (富士 · 日) UAA4002 (汤姆逊 · 法) M57950 (三菱 · 日) 4.4 MOSFET和IGBT的驱动电路 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——三相桥式电路触发器的连接 电力电子技术基础 ★ EXB840：150A/600V、 75A/1200V；40kHz、延迟1μs、25mA EXB841：400A/600V、300A/1200V；40kHz、延迟1μs、47mA C 非滤波，吸收电源线 阻抗变化引起的电压波动 桥臂直通、ic(近似∝uce)过大、T℃过高 Uce↑ 允许短路时间10μs 延时有哪些信誉好的足球投注网站/缓降栅压 “0”强迫-5V封锁 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 电力电子技术基础 M57962AL厚膜驱动电路（三菱） 短路检测时间：P1-P4间电容1000~8000p 对应3~6μS ★ 600A/600V、400A/1200V；20kHz、延迟1μs、500mA 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——集成元件组成的触发电路 电力电子技术基础 M57962AL应用电路（双电源） 30V稳压管在检测二极管反向恢复时限制P1电压 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——驱动电路实物 电力电子技术基础 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——IPM 电力电子技术基础 4.5 电力电子器件的缓冲电路 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——缓冲电路的作用 电力电子技术基础 安全 ON ：限制di/dt —开通/串联缓冲； OFF：限制du/dt —关断/并联缓冲； 降低（转移）S损耗，改变开关轨迹。 缓冲电路 （Snubber Circuit） 有损缓冲电路 无损缓冲电路 部分开关损耗转移到缓冲电路（总值不变） 总损耗P = 导通损耗Pon + 阻断损耗Poff + 开关损耗 Ps （ Ps=40~80%P) 开关轨迹 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 电力电子技术基础 ——GTR的缓冲电路 关断缓冲电路：Cs、VDs、GTR 开通缓冲电路：Rs、Ls、VDr 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 电力电子技术基础 ——IGBT的缓冲电路 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——缓冲阻容元件 电力电子技术基础 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——缓冲线路板 电力电子技术基础 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——带缓冲电路的电力电子装置 电力电子技术基础 END! *