单个锗硅量子点和量子环的电学性质及其组分分布的研讨.pdf

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2018-01-11 发布于广东
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目录摘要……………………………………………………………………………………………………………·I Abstract…………………………………………………………………………………………………………III 第一章引言………………………………………………………………………．1． §1．1课题研究背景及意义……………………………………………………．1- §1．2本论文的结构安排………………………………………………………．2．第二章实验……………………………………………………………………～3． §2．1原子力显微镜……………………………………………………………．3． §2．2导电原子力显微镜………………………………………………………．6． §2．2．1CAFM原理及应用………………………………………………·．6． CAFM测量中压力的影响………………………………………～7． §2．2．2 CAFM测量中电压的影响………………………………………·．8． §2．2．3 §2．3静电力显微镜……………………………………………………………．9． EFM原理与应用…………………………………………………～9． §2．3．1 EFM测量中抬高高度的影响…………………………………．．．10． §2．3．2 §2．4扫描电容显微镜………………………………………………………·．11．第三章单个锗硅量子点到量子环转变各阶段的电学性质…………………．13． 3． §3．1引言……………………………………………………………………”．1 §3．2实验……………………………………………………………………．13． §3．3结果与讨论……………………………………………………………．14． Si覆盖层厚度对形貌的影响……………………………………．14． §3．3．1 §3．3．2球冠形量子点的导电分布以及组分分布……………………～15． §3．3．3金字塔形量子点的导电分布以及组分分布……………………．17． §3．3．4量子环的导电分布以及组分分布……………………………～18． §3．4小结……………………………………………………………………·．20．第四章 GeSi量子环的导电分布机理研究…………………………………～21- §4．1引言……………………………………………………………………．．-21． 1． §4．2实验……………………………………………………………………．2 §4．3结果与讨论……………………………………………………………·．21． §4．3．1量子环的组分分布………………………………………………．21． §4．3．2不同组分GeSi量子环的导电分布……………………………～23． §4．3．3不同组分GeSi量子环的荷电性质……………………………·．26． §4．3．4不同组分GeSi量子环的载流子浓度分布……………………．27． §4．4小结……………………………………………………………………．29． i 致谢……………………………………………………………………………一39- 中英文摘要单个锗硅量子点和量子环的电学性质及其组分分布的研究堑理堂系猛鐾查塑堡堂专业学生姓名：韭生型指导教师：扬堑蕴副熬援摘要本论文主要通过扫描探针显微镜对分子束外延自组织生长的单个GeSi量子点和量子环的电学