EMI对策元件和电路保护元件的发展与应用一.doc

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EMI对策元件和电路保护元件的发展与应用一

EMI对策元件和电路保护元件的发展与应用一 作者: 不详 阅读: 时间: 2007-10-29 来源: 中国SMD资讯网 发表评论 原文位置   1前言 原文位置   随着电子产品的发展,特别是在我国加入WTO后与世界经济接轨的宏观环境下,人们对各类电子产品的电磁兼容性与可靠性、安全性提出了更高的要求。这就极大地促进了EMI对策电子元件与电路保护电子元件的飞速发展,成为电子元件领域中的1个热点,引起人们的极大关注。这类电子元件品种繁多[1][2][3],虽然近两年没有出现什么特别令人注目的新发明、新品种,但是这类电子元件型号规格的增多、参数范围的扩大以及抑制电磁干扰能力和保护电路能力的提升都非常显著。特别是在这类电子元件的应用方面,应用范围的迅速扩大与需求量的急剧上升,都是十分惊人的。本文着重介绍其应用情况及市场前景。 原文位置   2EMI对策元件的新进展[4][5] 原文位置   2.1微小型化 原文位置   迫于电子产品向更小、更轻、更灵巧的方向发展,EMI对策元件继续向微小型化发展,如片式磁珠和片式电容器的主流封装尺寸已经逐步从1608(0603)过渡到1005(0402);又如日本村田新发布的3绕组共模扼流圈的尺寸仅为2.5mm×2.0mm×1.2mm;在3.2mm×1.6mm×1.15mm的尺寸内封装了两个共模扼流圈阵列。 原文位置   2.2高频化 原文位置   目前,电子产品向高频化发展的趋势十分明显,如计算机的时钟频率提高到几百兆赫乃至千兆赫;数字无线传输的频率也达到2GHz以上;无绳电话的频率从45MHz提高到2400MHz等,因而由高次谐波引起的噪声也相应出现在更高的频率范围,EMI对策元件也随着向高频化发展,例如,叠层型片式磁珠的抑制频率提高到GHz范围。国内南虹、顺络、麦捷以及国外的Murata、TDK、Taiyo-yuden、AEM、Vishay等公司都已推出性能优良的GHz片式磁珠,其抑制噪声频率在600MHz~3GHz,满足了高速数字电路的要求;村田的3端片式穿心陶瓷电容器的抑制频率范围为3MHz~2000MHz;TDK开发的1005(0402)片式电感器的使用频率达到12GHz。 原文位置   2.3复合化和多功能化 原文位置   在电子产品中经常有排线部位,如I/O排线。为了使用方便,节省PCB面积,加快表面贴装速度,一些片式EMI对策元件已经阵列化。在1个封装内通常含有2、4、6、8个EMI对策元件。此外,将不同功能的EMI对策元件组合在1个封装内,达到多功能的目的。如将噪声抑制功能与静电放电保护功能组合在一起;将电容器与电感器或电阻器组合在一起;将共模噪声抑制与差模噪声抑制组合在一起等,都体现了向多功能化发展的趋势。 原文位置   2.4新材料和新元件 原文位置   众所周知,尖晶石型软磁铁氧体和BaTiO3基陶瓷材料在EMI对策中占有十分重要的位置。近年来,又开发出一些新型材料,可用于抗电磁干扰,如6角晶系铁氧体材料、金属磁粉材料、非晶及超细晶金属磁性材料、高分子磁性材料、高分子介质材料、复合介质材料及纳米材料等。 原文位置   这些新型材料将在电磁兼容领域崭露头角,值得人们密切关注。EMI对策元件也有很多进展,如Murata公司,在3端片式电容器(叠层型片式穿心电容器)的基础上,又开发出含有电阻器的3端片式电容器NFR系列、含有电感器的3端片式电容器NFW系列、含有两个磁珠的3端片式电容器NFL系列,以及Ni电极、大电流(6A)、大容量(1?F)系列等;铁氧体薄膜共模扼流圈的封装尺寸为3.2mm×1.5mm×1.15mm,在100MHz时,其共模阻抗可达550?,而其差模阻抗不超过10?,特别适用于高速数字信号线;叠层型片式3绕组共模扼流圈的尺寸仅为2.5mm×2.0mm×1.2mm,它可以非常有效地在音频信号线上抑制来自高速数字电路的高频噪声而不会造成声音的畸变和串音,在必威体育精装版款式的袖珍音影电子产品(如MP3)中,十分受欢迎;薄膜扼流圈阵列的尺寸为3.2mm×1.6mm×1.15mm,内部封装了2个共模扼流圈;TDK将一个共模扼流圈和一个差模扼流圈封装在一起,尺寸仅为3.2mm×2.5mm×2.3mm;英国的Syfer公司将2个Y电容器和1个X电容器集成在一起,构成1个叠层型片式X2Y电容器组件,同时抑制共模和差模噪声,其封装规格为2012(0805)和3216(1206),用于DC电源滤波器。美国的AVX公司深入研究了叠层型片式穿心滤波电容器(FeedthroughFilterCapacitor),经过精心设计内部电路,将70%的寄生支路电感转移成输入/输出线上的串联电感,起到1个T形低通滤波器的作用,从而显著提高自谐振频率,加宽对噪声抑制

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